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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2016-04-20 17:00 |
東京 | 機械振興会館 | 微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性向上を目指したSiO援用Dolan法の提案と評価 徳山貴斗・島田 宏・○水柿義直（電通大）  SCE2016-10 |
2層レジストで形成されるレジスト架橋構造と斜め蒸着を用いるDolan法は，微小トンネル接合の作製方法として広く利用されて... [more] | SCE2016-10 pp.55-60 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 16:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 ○草野欽太・工藤和樹・塘内功大・坂口大成・茂籐健太（熊本高専）・本山慎一・楠田 豊・古田真浩（サムコ）・中 庸行・沼田朋子（堀場製作所）・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2016-8 OME2016-8 |
シートコンピュータ等への応用を目指し，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した．非晶質Ge薄膜の熱的固相... [more] | SDM2016-8 OME2016-8 pp.31-34 |
| EMD, R (共催) |
2016-02-19 13:20 |
静岡 | あざれあ(静岡市) | ナノマニピュレーターを用いたコネクタ接点における接触構造と接触抵抗変化の挙動解析 ○豊泉 隼・大沼雅則・近藤貴哉（矢崎部品）・森 喜久男（矢崎総業）・清水哲夫・川端澄子・渡 邉 騎通（産総研） R2015-65 EMD2015-93 |
コネクタの小型化を実現するために、スズめっきの低接触荷重での接触現象を理解することがより重要になってきている。スズめっき... [more] | R2015-65 EMD2015-93 pp.1-6 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 11:41 |
富山 | 富山大学 | CuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を用いた電流注入型EL素子の検討 ○足立尚義・林 翔太（鳥取大）・石垣 雅（TiFREC）・大観光徳（鳥取大） EID2015-42 |
石英基板およびZnO基板、SiO2付ITO基板、熱酸化膜付Siウエハ、Siウエハ上にCuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を... [more] | EID2015-42 pp.125-128 |
| ED | 2015-10-22 14:20 |
愛知 | 名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ） | 電界集束型FEA-HARP撮像素子の放射電子特性 ○本田悠葵・難波正和・宮川和典・久保田 節（NHK）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・江上典文（近畿大） ED2015-56 |
高感度なハイビジョンカメラの実現に向けて，スピント型電界放射陰極を多数並べた冷陰極アレイに高感度なHARP光電変換膜を組... [more] | ED2015-56 pp.11-14 |
| ED | 2015-10-23 11:00 |
愛知 | 名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ） | GaAsフォトカソードの表面活性過程と分光感度特性 ○増澤智昭・光野圭悟・畑中義式・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2015-65 |
テラヘルツ光源等の応用のために、大電流・高速動作が可能な電子源の開発が期待されている．本研究では，大電流・高速電子源の候... [more] | ED2015-65 pp.57-59 |
| ED | 2015-07-25 11:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大） ED2015-45 |
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] | ED2015-45 pp.45-49 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-07-10 15:20 |
東京 | 早稲田大学 | パルス電析法を用いたFePtナノドットアレイの高保磁力化の検討 ○西家大貴・ヴォダルツ ジギー・謝 承達・齋藤 学・阿部純也（早大）・Giovanni Zangari（バージニア大）・本間敬之（早大） MR2015-13 |
我々は電気化学的手法とリソグラフィ技術を組み合わせたビットパターンドメディア（BPM）形成手法を検討してきた．本研究では... [more] | MR2015-13 pp.25-29 |
| OFT, PEM (併催) |
2015-05-21 14:25 |
石川 | 金沢勤労者プラザ | 耐リフロー性を有する樹脂レンズの10G伝送特性：射出成形により構成された耐熱樹脂レンズ ○島津貴之・春本道子・佐野知巳（住友電工）・渡邊卓郎（日本通信電材）・岡部昭平・片山浩二（住友電工ファインポリマー）・山崎 智・西川信也（住友電工） OFT2015-4 |
汎用の射出成形により形成された光学樹脂レンズは、生産性やコストメリットに利点を有しており、多くの光学製品に広く使用されて... [more] | OFT2015-4 pp.17-20 |
| AP | 2015-05-22 14:25 |
奈良 | 奈良県社会福祉総合センター（橿原市） | ミリ波マイクロストリップコムラインアンテナの給電線路垂直面ビームチルト設計によるマルチビーム切替え電子走査アンテナ ○榊原久二男・中澤大輝・菊間信良（名工大） AP2015-30 |
様々な指向性走査アンテナがある中，異なる方向に指向性を有するアンテナを配列し，これらを高周波スイッチなどで切替える指向性... [more] | AP2015-30 pp.63-67 |
| ED | 2015-04-17 10:55 |
宮城 | 東北大通研ナノスピン実験施設 | 微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性向上を目指したSiO援用Dolan法の提案と評価 徳山貴斗・島田 宏・○水柿義直（電通大/CREST JST） ED2015-13 |
2層レジストで形成されるレジスト架橋構造と斜め蒸着を用いるDolan法は，微小トンネル接合の作製方法として広く利用されて... [more] | ED2015-13 pp.65-70 |
| EE | 2015-01-30 12:30 |
熊本 | 桜の馬場 城彩苑（熊本県） | 高電位部への給電のためのデータ伝送機能付き非接触給電手法の研究 ○石崎潤起（同志社大）・久保敏裕・松原克夫（日新電機）・高橋康人・藤原耕二（同志社大） EE2014-37 |
電子線照射装置やイオン注入装置などでは，高電位に充電された電子やイオンの生成部に電力を供給する必要があり，所定の絶縁距離... [more] | EE2014-37 pp.49-53 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-22 13:38 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜におけるSi共添加による発光特性の改善 ○川口英紀・足立尚義・石垣 雅・大観光徳（鳥取大） EID2014-41 |
蒸着源ペレットにSiを共添加したCuAlS2：Mn粉末蛍光体を用いて、電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn薄膜蛍光体を作... [more] | EID2014-41 pp.5-8 |
| ED | 2014-10-22 09:00 |
北海道 | 北大エンレイソウ | Field Emission Spectroscopy用高精度制御電源装置の開発 ○古川和人・熊谷成輝・村田英一・浅井泰尊・加藤秀次・六田英治・下山 宏（名城大） ED2014-68 |
ナノチップ電子源は先端の大きさをナノレベルに形成した電子源であり、電子ビーム機器の高性能化にとって必要不可欠な存在である... [more] | ED2014-68 pp.29-34 |
| ED | 2014-10-22 09:25 |
北海道 | 北大エンレイソウ | シリコンフィールドエミッタの光照射効果 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2014-69 |
微小電子源から光支援による高周波変調バンチビームを発生させることを目的として、極微ゲート孔構造Si-FEAからの電子放射... [more] | ED2014-69 pp.35-38 |
| CPM | 2014-09-05 09:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 ○佐藤大樹・西谷智博・前川拓也・本田善央・天野 浩（名大） CPM2014-84 |
負の電子親和力(Negative Electron Affinity: NEA)状態の表面を持つ半導体（NEA半導体フォ... [more] | CPM2014-84 pp.49-54 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2014-07-17 13:25 |
東京 | 東京工業大学 | 電析初期過程の解析に基づく超高記録密度ナノドットアレイの形成及び高保磁力化 ○萩原弘規・ヴォダルツ ジギー・大谷智博・西家大貴（早大）・Giovanni Zangari（ヴァージニア大）・本間敬之（早大） MR2014-9 |
我々は，電気化学的手法である電解析出法とリソグラフィ技術を組み合わせ，次世代型の磁気記録媒体として期待されるビットパター... [more] | MR2014-9 pp.7-10 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 12:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス ○須田隆太郎・伊藤光樹・森原康平・豊中貴大・滝川主喜・白樫淳一（東京農工大） ED2013-149 SDM2013-164 |
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで，強磁性単電子トランジスタ（Ferromagneti... [more] | ED2013-149 SDM2013-164 pp.95-100 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 10:12 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜の発光特性及び電気的特性 ○大島祐樹・川口英紀・大観光徳（鳥取大） EID2013-24 |
電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn蛍光体薄膜を作製した。基板温度600℃で作製した薄膜は結晶性に優れ、強い橙色フォトル... [more] | EID2013-24 pp.97-100 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 ○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博（名大） ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 |
我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源（NEA半導体フォトカソード電子源）の高輝度、高耐久化を目指して、p... [more] | ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 pp.43-46 |
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