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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 11:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 ○志村政英・安部功二（名工大）  ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 |
あらまし 金属水酸化物は，難燃剤や金属酸化物合成の前駆体として用いられる重要な無機物であり，その多くは電気化学堆積やゾ... [more] | ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 pp.23-26 |
| OME | 2022-03-26 13:50 |
東京 | 成蹊大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電析法によって作製したRu/TiO2/CP電極を用いた低温常圧下におけるアンモニア電解合成 ○今野龍刀・城石英伸（東京高専）・白石美佳・蒲生西谷美香（東洋大） OME2021-67 |
水素社会の実現に向けてアンモニアが水素キャリアとして注目されており，低温常圧下における電解合成技術が確立すれば，自然エネ... [more] | OME2021-67 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 16:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製 ○季 ぶん・市村正也（名工大） ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 |
FeS2 はバンドギャップの狭い p 型半導体であるため、ヘテロ接合太陽電池では良好な吸収体とみなされている。半透明 F... [more] | ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94 pp.35-39 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO透明太陽電池の作製 ○古山実季・市村正也（名工大） ED2018-45 CPM2018-79 LQE2018-99 |
p型NiOとn型ZnOは共に優れた光学的透明性を示す。また、両材料によるpn接合は整流性と光起電力が報告され、透明太陽電... [more] | ED2018-45 CPM2018-79 LQE2018-99 pp.61-64 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2018-05-24 13:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL | Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions ○mansoureh keikhaei・Masaya Ichimura（NIT） ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 |
Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high ... [more] | ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 pp.5-10 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 11:45 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用 ○梶間崇宏（名工大）・川井正一（デンソー）・市村正也（名工大） ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36 |
電気化学堆積法は水溶液中のイオンを還元させることで薄膜を堆積させる方法である。FeS2(パイライト)は豊富かつ無毒な元素... [more] | ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36 pp.91-95 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 15:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用 ○田中良和・市村正也（名工大） ED2014-44 CPM2014-27 SDM2014-42 |
電気化学堆積法では不溶性である硫黄をチオ硫酸イオンより供給することで多くの硫化物半導体が作製可能である．また，SnSは化... [more] | ED2014-44 CPM2014-27 SDM2014-42 pp.129-134 |
| OME | 2013-03-05 17:35 |
佐賀 | 産総研九州センター | 表面処理および腐食過程解析における表面測定技術 井上 塁・阿倍俊介・伊藤航平・砂原 祥・鈴木良治・廣畑洋平・○野田和彦（芝浦工大） OME2012-104 |
電析などの表面処理の成膜過程や表面反応により生じる腐食過程を解析するためには、多くの電気化学測定を適切かつ正確に適用する... [more] | OME2012-104 pp.61-65 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions ○Junie Jhon M. Vequizo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 |
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing ... [more] | ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 pp.85-89 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 09:00 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 ○楊 凱・中島佑基・市村正也（名工大） ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 |
CuxS薄膜を電気化学堆積法(ECD法)により作製した。pH調整剤として硫酸または乳酸を用いて堆積を行った。硫酸を用いた... [more] | ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 pp.1-6 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | ZnO，SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池 ○服部 翔・市村正也（名工大） ED2011-31 CPM2011-38 SDM2011-44 |
タンデム型光電気化学太陽電池(T-PECセル)は，光照射に対する半導体/電解液界面での光反応を基とした湿式太陽電池である... [more] | ED2011-31 CPM2011-38 SDM2011-44 pp.157-162 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 15:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications ○Asraf M. Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 |
Gallium-Indium-sulfide-oxide thin films were deposited onto ... [more] | ED2009-23 CPM2009-13 SDM2009-13 pp.25-30 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-11-21 15:35 |
東京 | 早稲田大学 | ［招待講演］高飽和磁束密度軟磁性薄膜の開発とその波及的応用 ○逢坂哲彌（早大） MR2008-33 |
磁気記録分野では成膜法として限界と思われていた電気化学プロセスをナノ構造が制御された成膜法として再提示してきた．その中で... [more] | MR2008-33 pp.19-24 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 電気化学的手法によるInPポーラスナノ構造の形成および機能修飾と化学センサへの応用 ○溝畑彰規・吉澤直樹・佐藤威友・橋詰 保（北大） ED2008-102 SDM2008-121 |
We investigated the electrocatalytic activity of n-type InP ... [more] | ED2008-102 SDM2008-121 pp.327-330 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 電気化学堆積を用いた4H-SiCにおける低ショットキー障壁領域の可視化手法 ○加藤正史・小野英則・小川和也・市村正也（名工大） ED2008-108 SDM2008-127 |
4H-SiC Schottky diodes are promising devices for the applica... [more] | ED2008-108 SDM2008-127 pp.357-361 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 ○小野英則・小川和也・加藤正史・市村正也（名工大） ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 |
4H-SiCショットキーダイオードは高速，高耐圧の整流器への応用が期待されている．しかし，SiCショットキーダイオードに... [more] | ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 pp.89-94 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-25 10:20 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 電気化学堆積法によるSnO2薄膜の作製 ○王 俊・市村正也（名工大） |
あらまし 電気化学堆積（ECD）法は安価な装置で薄膜の作製が可能であり、太陽電池作製の低コスト化が期待できる。我々は太... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-25 13:30 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Electrochemical deposition of indium sulfide thin films by periodic pulse-form biasing and their characterization ○Ashraf Mohamed Abdel Haleem・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. Technol.） |
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