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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SANE 2013-12-02
09:30
海外 VAST/VNSC(1日目) & Melia Hotel, Hanoi(2日目) Measurement for Permittivity and Thickness of Multilayered Dielectric Plate by Through Radar
Hirokazu KobayashiOsaka Institute of Tech.SANE2013-71
 [more] SANE2013-71
pp.1-6
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
11:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究
中嶋 翼竹田健一郎岩谷素顕上山 智竹内哲也赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101
我々はITO/Al反射電極、レーザリフトオフ、シリコーン封止を組み合わせることで350nm紫外LED光取り出し効率改善を... [more] ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101
pp.11-16
SANE 2013-08-23
14:55
新潟 新潟大学(五十嵐キャンパス) 透過レーダによる多層誘電体の誘電率と厚みの推定法
小林弘一阪工大)・高岡峻一山口芳雄新潟大)・周 虹阪工大SANE2013-49
壁透過レーダでは、機械的あるいは電気的にアンテナを走査することで前方物体の画像を取得することができる。この際、壁の遅延位... [more] SANE2013-49
pp.23-30
EE, IEE-SPC
(連催)
WPT
(併催) [詳細]
2013-07-25
09:55
東京 機械振興会館 WPTシステムにおける共振器最適化の検討
澤原裕一石崎俊雄龍谷大)・粟井郁雄リューテック
WPTシステムの伝送特性を改善するには無負荷Q(Qu)、結合係数(k)の特性を向上させる必要がある。無負荷Q値はコイル線... [more]
US 2012-08-28
14:10
海外 釜慶大学校(韓国、釜山) Fiber-Optic Ultrasonic Hydrophone Using Short Fabry-Perot Cavity with Multilayer Reflectors
Kyung-Su KimYosuke MizunoKentaro NakamuraTokyo Inst. of Tech.US2012-53
 [more] US2012-53
pp.93-98
SDM 2012-06-21
11:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化
細井卓治大嶽祐輝有村拓晃力石薫介北野尚武志村考功渡部平司阪大SDM2012-51
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として,実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる.TiN/... [more] SDM2012-51
pp.43-46
OFT 2012-05-25
09:50
岐阜 飛騨・世界生活文化センター 誘電体薄膜で構成された中空光ファイババンドルの提案と試作
小林 駿片桐崇史松浦祐司東北大OFT2012-12
従来のメッキ法による金属成膜工程を用いずに製作することが可能な誘電体層によってのみ構成された中空光ファイバを提案する.本... [more] OFT2012-12
pp.55-59
ED, MW
(共催)
2012-01-11
10:40
東京 機械振興会館 マイクロ波帯における高損失誘電材料を用いた超薄型一層電波吸収体の基礎検討
藤田敬人津田祐己安住壮紀橋本 修青学大)・和野隆司福田佑紀日東電工ED2011-120 MW2011-143
本稿では,損失誘電材料を用いた超薄型電波吸収体の製造に関する検討を行った.まず,導波管法を用いて材料の複素比誘電率を測定... [more] ED2011-120 MW2011-143
pp.7-12
OFT 2011-05-27
10:00
鹿児島 屋久島環境文化村センター 光ファイバ端の誘電体多層膜を用いた液体・固体の屈折率センサ
金 景洙水野洋輔東工大)・中野正行斧田誠一渡辺製作所)・中村健太郎東工大OFT2011-10
光ファイバを用いた屈折率センサは、工学・医療・化学等の分野で幅広く研究がなされている。しかし、従来の光ファイバ型屈折率セ... [more] OFT2011-10
pp.43-48
AP 2011-01-21
14:15
佐賀 佐賀大学 3次元SiPを用いた60GHz帯小型モジュール一体型平面ダイポールアンテナの高利得化
吉田賢史谷藤正一亀田 卓末松憲治高木 直坪内和夫東北大AP2010-157
近年,通信速度のさらなる高速化を目指して,60\,GHz帯を用いたWPAN\,(Wireless Personal Ar... [more] AP2010-157
pp.141-146
SDM 2010-11-11
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
細井卓治佐伯雅之喜多祐起奥 雄大有村拓晃北野尚武阪大)・白石賢二山田啓作筑波大)・志村考功渡部平司阪大SDM2010-175
p型電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは,電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず,ソース/ドレイン活性化アニー... [more] SDM2010-175
pp.23-28
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter
Takeshi SasakiTakuya ImamotoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2010-92 SDM2010-93
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] ED2010-92 SDM2010-93
pp.177-182
SDM 2010-02-05
13:30
東京 機械振興会館 CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発
井口 学横川慎二相澤宏一角原由美土屋秀昭岡田紀雄今井清隆戸原誠人藤井邦宏NECエレクトロニクス)・渡部忠兆東芝SDM2009-186
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜(k=2.4)と低誘電率積層バリア膜(k=3.9)を用いた32nmノード配線構... [more] SDM2009-186
pp.25-29
ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD
(共催)
2010-01-29
10:50
福岡 九州大学(筑紫地区) 液晶材料の閾値電圧、弾性定数比及び誘電率比の高精度測定法の確立
千葉祐介大野友嗣石鍋隆宏宮下哲哉内田龍男東北大EID2009-71
電圧無印加時のホモジニアス配向液晶セル内において生じる干渉の入射角依存性を利用して,液晶材料の屈折率を高い精度で測定を行... [more] EID2009-71
pp.99-102
EMCJ 2009-11-20
12:00
東京 青山学院大学 青山キャンパス 誘電損失シートの表面に金属導電膜を周期的に配置した超薄型電波吸収体に関する基礎的検討
田丸了次安住壮紀橋本 修青学大)・多田雅孝和野隆司福田佑紀日東電工EMCJ2009-81
本稿では,誘電損失シートの表面に正方形状の金属導電膜を周期的に配置した,薄型電波吸収体に関する検討を行った.まず,本電波... [more] EMCJ2009-81
pp.13-18
SANE 2009-10-09
10:20
東京 東北大学東京分室 A non-destructive approach to estimate the dielectric constant of layered media by GPR antenna array
Hai LiuTohoku Univ./Tongji Univ.)・Motoyuki SatoTohoku Univ.)・Xiongyao XieTongji Univ.SANE2009-77
This paper provided a new non-destructive approach to estima... [more] SANE2009-77
pp.73-78
SDM 2009-06-19
14:50
東京 東京大学(生産研An棟) LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男加藤亮祐京極真也近藤博基財満鎭明名大SDM2009-37
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] SDM2009-37
pp.61-66
SDM 2009-06-19
15:10
東京 東京大学(生産研An棟) 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
諸岡 哲松木武雄三瀬信行神山 聡生田目俊秀栄森貴尚奈良安雄由上二郎池田和人大路 譲半導体先端テクノロジーズSDM2009-38
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] SDM2009-38
pp.67-70
SDM 2009-06-19
16:50
東京 東京大学(生産研An棟) 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散
大田晃生貫目大介東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-42
800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] SDM2009-42
pp.87-92
CPM, EMD, OME
(共催)
2009-06-19
15:15
東京 機械振興会館 圧電駆動型磁気光学空間光変調器のための光反射膜に関する研究
加藤武紀水戸慎一郎豊橋技科大)・高木宏幸豊田高専)・金 周映井上光輝豊橋技科大EMD2009-17 CPM2009-29 OME2009-24
磁気光学空間光変調器(MOSLM)は,二次元の光信号の強度や位相を高速に変調することが可能なデバイスである.我々は圧電体... [more] EMD2009-17 CPM2009-29 OME2009-24
pp.17-21
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