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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMD, EMCJ
(共催)
2011-07-15
12:20
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ 接触抵抗とそのモデル(16) ~
和田真一越田圭治川述真裕サインダー ノロブリン益田直樹石黒 明柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMCJ2011-61 EMD2011-20
著者らは,電気接点に実用的振動を与えうるいくつかの加振機構を開発し,微小振動が接触抵抗に与える影響を考察できる可能性を検... [more] EMCJ2011-61 EMD2011-20
pp.1-6
EMD 2011-05-20
15:50
宮城 東北大学 サイバーサイエンスセンター ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ 接触抵抗とそのモデル(15) ~
和田真一サインダー ノロブリン越田圭治川述真裕久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎慶大名誉教授/日本工大EMD2011-7
著者らは,電気接点に実用的振動を与えうるいくつかの加振機構を開発し,微小振動が接触抵抗に与える影響を考察できる可能性を検... [more] EMD2011-7
pp.33-38
ITE-MMS, MRIS
(連催)
2010-12-10
09:30
愛媛 愛媛大学 総合メディアセンター [招待講演]CPW-FMR測定法による磁性薄膜のダンピング定数の評価
遠藤 恭三束芳央大川耕平島田 寛山口正洋東北大MR2010-49
最近急速に発展している磁気記録およびスピントロニクス分野では,Ni-Fe薄膜の高速磁化反転の機構解明が重要な研究課題の一... [more] MR2010-49
pp.51-58
ITE-MMS, MRIS
(連催)
2010-12-10
10:15
愛媛 愛媛大学 総合メディアセンター RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価
和田祐也池谷浩和高橋 豊稲葉信幸山形大)・桐野文良東京藝術大)・大竹 充二本正昭中大MR2010-50
RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚 >= 6 nm)を成膜し,X... [more] MR2010-50
pp.59-63
SP, EA, SIP
(共催)
2010-05-27
11:20
兵庫 甲南大学平生セミナーハウス 静電型超音波トランスデューサでのダンピング効果
李 昇穆Ingen MSL)・車 溥相奥山雅則阪大EA2010-15 SIP2010-15 SP2010-15
静電型超音波トランスデューサ(CMUT)の変換効率はメンブレンの振動における媒質の機械的抵抗(インピーダンス)の影響を受... [more] EA2010-15 SIP2010-15 SP2010-15
pp.85-89
IT, ISEC, WBS
(共催)
2010-03-05
14:15
長野 信州大学長野(工学)キャンパス BB84プロトコルの鍵レートを最大にするビット送信確率
ルンバントルアン ソニー松本隆太郎植松友彦東工大IT2009-139 ISEC2009-147 WBS2009-118
従来のBB84 の研究では、送信する各ビットの送信確率はすべて等しいとしていた。この論文ではBB84プロトコルにおいて、... [more] IT2009-139 ISEC2009-147 WBS2009-118
pp.433-438
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2009-03-06
15:45
愛知 名古屋大学 Ni-Fe単結晶およびFe単結晶薄膜のダンピング定数
小林康介瀬古貴文須藤陽介稲葉信幸山形大)・田中孝浩大竹 充二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大MR2008-66
Ni-Fe単結晶試料についてQバンドとXバンドの強磁性共鳴(FMR)吸収曲線幅からGilbertのダンピング定数$\al... [more] MR2008-66
pp.25-30
CS, CAS, SIP
(共催)
2005-03-15
09:30
岡山 岡山県立大学 多重結合された雑音性減衰振動の状態推定アプローチによる分離について
永山岳大天野正章明大
 [more] CAS2004-101 SIP2004-144 CS2004-237
pp.25-30
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