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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2021-10-08 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］スピン軌道相互作用が絡む磁性多層薄膜の第一原理計算と物質設計 ○中村浩次・名和憲嗣（三重大）  MRIS2021-8 |
スピン軌道相互作用が絡む磁気・伝導・光物性において、その物理的起源の複雑さのため、所望する物性を引き出す物質設計指針を得... [more] | MRIS2021-8 pp.11-12 |
| SDM | 2020-11-19 16:20 |
ONLINE | オンライン開催 | A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors ○Yen Le Thi（Hanoi University of Science and Technology）・Yoshinari Kamakura（Osaka Institute of Technology）・Nobuya Mori（Graduate School of Engineering, Osaka University,） SDM2020-27 |
The barrier infrared detector fabricated with InAs/GaSb type... [more] | SDM2020-27 pp.25-27 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大） ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 |
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] | ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 pp.65-70 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之（佐賀大） ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており，これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] | ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 pp.69-72 |
| SDM | 2016-11-11 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高品位Si，Ge基板の開発に資する第一原理計算 ～ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ～ ○末岡浩治（岡山県立大） SDM2016-87 |
最近10年間において，半導体シリコン（Si）結晶中の真性点欠陥，すなわち原子空孔（V）と自己格子間原子（I）の物性や挙動... [more] | SDM2016-87 pp.49-54 |
| ED | 2015-04-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研ナノスピン実験施設 | F4-TCNQを用いたP3HTパターン薄膜を電極に用いた全有機型トランジスタの作製 ○但木大介・馬 騰（東北大）・木村康男（東京工科大）・庭野道夫（東北大） ED2015-2 |
近年、溶液プロセスによって簡便に作製が可能であり、低コストで薄型・軽量かつ大面積なフレキシブル有機デバイスに関する研究が... [more] | ED2015-2 pp.7-10 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-22 13:38 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜におけるSi共添加による発光特性の改善 ○川口英紀・足立尚義・石垣 雅・大観光徳（鳥取大） EID2014-41 |
蒸着源ペレットにSiを共添加したCuAlS2：Mn粉末蛍光体を用いて、電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn薄膜蛍光体を作... [more] | EID2014-41 pp.5-8 |
| SDM | 2014-11-07 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 ○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大） SDM2014-104 |
LSIの基板として格子間Si原子（I）と原子空孔（V）を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] | SDM2014-104 pp.47-52 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 10:12 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜の発光特性及び電気的特性 ○大島祐樹・川口英紀・大観光徳（鳥取大） EID2013-24 |
電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn蛍光体薄膜を作製した。基板温度600℃で作製した薄膜は結晶性に優れ、強い橙色フォトル... [more] | EID2013-24 pp.97-100 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 |
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープｐ－GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] | ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 pp.39-42 |
| SDM | 2013-11-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション ○金村貴永・加藤弘一・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明（東芝） SDM2013-102 |
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍... [more] | SDM2013-102 pp.15-20 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| ED | 2012-04-18 13:50 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ ○但木大介・馬 騰・張 晋逾・飯野祥平・木村康男・庭野道夫（東北大） ED2012-3 |
近年、有機薄膜トランジスタ(OTFT)に関する研究が盛んに行われている。OTFTは、軽量で柔軟性を持った大面積デバイスを... [more] | ED2012-3 pp.9-13 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) |
2012-01-27 13:54 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | 希土類イオンを付活したガーネット型蛍光体の研究 ○棚瀬義隆・宮本快暢・大観光徳（鳥取大） EID2011-18 |
白色LEDやプラズマディスプレイパネル(PDP)用新規蛍光体への応用を目的として、系統的にガーネット構造化合物?3?2?... [more] | EID2011-18 pp.13-16 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| OME, SDM (共催) |
2011-04-15 15:25 |
佐賀 | 産総研九州センター | 配向ポリフルオレン薄膜上への色素蒸着による白色偏光EL ヘック クライレ・溝黒登志子・○谷垣宣孝（産総研） SDM2011-9 OME2011-9 |
我々は摩擦転写法によって共役系高分子の配向薄膜を作製することにより偏光電界発光（EL）素子の作製を目指して研究している．... [more] | SDM2011-9 OME2011-9 pp.37-41 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-10-15 11:45 |
秋田 | 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 | ［招待講演］FePt垂直スピン注入源を用いたAuにおける巨大スピンホール効果 ○関 剛斎・菅井 勇（東北大）・三谷誠司（物質・材料研究機構）・高梨弘毅（東北大） MR2010-33 |
非磁性体のスピン軌道相互作用に起因したスピンホール効果は、強磁性体を用いなくともスピン流－電流の変換が可能となるため、新... [more] | MR2010-33 pp.71-76 |
| ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD (共催) |
2010-01-28 15:15 |
福岡 | 九州大学(筑紫地区) | 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS2:Mn, Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善 ○大橋計仁（鳥取大）・宮本快暢（鳥取大/TEDREC）・大観光徳（鳥取大）・吉田尚史（NECライティング） |
CuAlS2:Mnは色純度のよい赤色発光を示し、近紫外波長域に強い励起帯を有し、また温度消光が少ないことから、近紫外LE... [more] | EID2009-62 pp.61-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 ○小川恵理・橋詰 保（北大/JST） ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 |
Mgドープ量の異なるGaN表面にSiO2保護膜を形成し，1000〜1100oCの高温でアニールを行い，アニ... [more] | ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 pp.105-108 |
| ED | 2008-06-13 14:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春（阪大）・奥村幸彦（舞鶴高専）・杉野 隆（阪大） ED2008-25 |
現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界... [more] | ED2008-25 pp.17-22 |
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