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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2011-01-24 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］タイプII構造の集積型極低温電流比較器の設計 ○山田隆宏・前澤正明・丸山道隆・大江武彦・浦野千春・金子晋久（産総研）・日高睦夫・佐藤哲朗・永沢秀一・日野出憲治（国際超電導産技研センター）  SCE2010-41 |
II型のICCCの設計のため、その要素回路の超伝導体インダクタンスについて、市販の電磁界解析ソフトを用いた計算方法の検討... [more] | SCE2010-41 pp.29-34 |
| SANE | 2010-10-28 16:00 |
海外 | Ramada Hotel, 済州島（韓国） | ［招待講演］衛星搭載遠赤外線検出器用極低温電子回路の開発 ○永田洋久・和田武彦・池田博一（JAXA）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）・大野守史（産総研） SANE2010-108 |
We have been developing low power cryogenic readout electron... [more] | SANE2010-108 pp.229-234 |
| SCE | 2010-07-22 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | 集積型極低温電流比較器の提案 ○丸山道隆・浦野千春・大江武彦・前澤正明・山田隆宏（産総研）・日高睦夫・佐藤哲朗・永沢秀一・日野出憲治（国際超電導産技研センター）・金子晋久（産総研） SCE2010-16 |
超伝導集積回路技術を用いた小型の極低温電流比較器（CCC）を提案する．超精密測定などで広く用いられる従来のCCCは，一般... [more] | SCE2010-16 pp.13-18 |
| OPE, OFT (共催) |
2010-02-26 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | 極低温・強磁場下における光ファイバ温度センサ適用試験 ○田中芳親・小方正文・長嶋 賢（鉄道総研）・足立正二・松浦 聡・熊谷芳宏（横河電機） OFT2009-91 OPE2009-232 |
光ファイバ温度センサは，1本のファイバで多点または分布的に温度を測定できるため，熱侵入が小さく絶縁性や耐電磁ノイズ性が高... [more] | OFT2009-91 OPE2009-232 pp.43-48 |
| MW | 2009-11-19 14:55 |
鹿児島 | JAXA種子島宇宙センター | 極低温受信フロントエンドを用いたW-CDMA方式における容量拡大効果 ○佐藤 圭・鈴木恭宜・三村哲也・楢橋祥一（NTTドコモ）・野島俊雄（北大） MW2009-132 |
本稿では，高温超伝導フィルタ，極低温低雑音増幅器及び冷却装置で構成される極低温受信フロントエンドをW-CDMA方式基地局... [more] | MW2009-132 pp.25-28 |
| MW (ワークショップ) |
2009-08-20 - 2009-08-21 |
海外 | KMUTNB, Bangkok, Thailand | DC I-V characteristics of cryogenically-cooled GaN HEMT amplifier employing blue-light illumination ○Yasunori Suzuki・Shoichi Narahashi（DOCOMO）・Toshio Nojima（Hokudai） |
This paper experimentally investigates a 2-GHz band cryogeni... [more] | |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| ED | 2008-12-19 15:05 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | InAlAs/In0.7Ga0.3As系HEMTの極低温下における超高速動作 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・篠原啓介（NICT/HRL Labs.）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-187 |
ゲート長Lg=50～700 nmを有するIn0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As系HEMTのDC・RF特性... [more] | ED2008-187 pp.15-20 |
| ED | 2007-11-27 14:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・山下良美（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT）・松井敏明（NICT） ED2007-190 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し，そのDC，... [more] | ED2007-190 pp.17-21 |
| SCE | 2007-10-17 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 大面積STJ粒子検出器のための赤外線反射フィルターの開発 ○志岐成友・浮辺雅宏・清水川 豊（産総研）・冨田成夫・佐藤優樹（筑波大）・前田龍太郎・大久保雅隆（産総研） |
粒子の検出に極低温検出器を用いる際、室温の粒子源から極低温の検出器に粒子を導くため、 輻射シールドに貫通穴が必要となる... [more] |
SCE2007-20 pp.13-16 |
| RCS | 2005-11-18 10:40 |
宮城 | 作並温泉(仙台市) | 下り伝送容量1.3Gbit/sを実現するマルチユーザOFDM-SDMA/基地局間連携方式による高度移動通信システム ～ 高度無線信号処理技術による第4世代移動通信システム ～ ○川澤俊夫・井上 隆（KDDI）・桑原幹夫（日立）・安部俊作（日立コミュニケーションテクノロジー）・山中一典・吉田 誠（富士通） |
第4世代移動通信の実現に向けて，マルチユーザOFDM (Multi User Orthogonal Frequency ... [more] | RCS2005-119 pp.73-78 |
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