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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| RCS, NS (併催) |
2011-07-22 15:45 |
北海道 | 旭川市民文化会館 | 高速移動端末存在下におけるMU-MIMO THPへのTDMの適用効果 王 雲瀚・○清水真人・前原文明（早大）  RCS2011-105 |
Tomlinson Harashima Precoding(THP)を適用したMU-MIMOは，マルチユーザ無線通信のさ... [more] | RCS2011-105 pp.181-185 |
| IN, NS (併催) |
2011-03-03 10:50 |
沖縄 | 沖縄コンベンションセンター | IEEE802.11におけるChannel Scanning遅延短縮の一検討 ○小倉一峰・高井峰生・甲藤二郎（早大） NS2010-199 |
近年、ネットワークの高速性や、簡単に設置できることにより、無線LAN規格であるIEEE802.11(WiFi)が広く普及... [more] | NS2010-199 pp.205-210 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| NS, RCS (併催) |
2010-12-17 09:00 |
岡山 | 岡山大学 | LTE-Advanced上りリンクSC-FDMAにおける2アンテナ送信ダイバーシチ法のチャネル推定誤差を考慮したスループット特性評価 ○柿島佑一・川村輝雄（NTTドコモ）・田岡秀和（ドコモ欧州研）・中村武宏（NTTドコモ） RCS2010-180 |
本稿では，LTE (Long-Term Evolution)-Advancedの上りリンクSC-FDMA (Single... [more] | RCS2010-180 pp.127-132 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し，評価を... [more] | ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 pp.47-50 |
| SIP, CAS, CS (共催) |
2010-03-02 10:50 |
沖縄 | 宮古島 ブリーズベイマリーナ | パイロットレス伝搬路追従技術を用いたOFDMAシステムにおける適応リソース割当方式 ～ 適応変調を適用した場合の特性評価 ～ ○坂元一光・牟田 修（九大）・赤岩芳彦（電通大）・Krishnamurthy Giridhar（インド工科大）・古川 浩（九大） CAS2009-113 SIP2009-158 CS2009-108 |
高速フェージング環境下における伝搬路特性の時間変動を補償する手法として, DDCT(Decision-Directed ... [more] | CAS2009-113 SIP2009-158 CS2009-108 pp.203-208 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2009-183 MW2009-166 |
ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more] | ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53 |
| SDM | 2009-11-13 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 ○竹田 裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内 潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス） SDM2009-144 |
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] | SDM2009-144 pp.49-53 |
| AN | 2009-07-24 10:20 |
京都 | 京都大学 | ダイナミックスペクトラムアクセスマルチホップ車車間通信に適した空間変化を考慮したチャネル選択手法 ○大森千潤・塚本和也（九工大）・アルトゥンタシュ オヌル（トヨタIT開発センター）・鶴 正人・尾家祐二（九工大） AN2009-18 |
近年のDynamic Spectrum Access（DSA）技術の急速な発展により，将来のマルチホップ車車間通信にDS... [more] | AN2009-18 pp.55-60 |
| RCS, AN, MoNA, SR (併催) |
2009-03-05 16:55 |
神奈川 | YRP | ［招待講演］無線通信におけるクロスレイヤネットワーキング技術 ○張 兵（NICT） MoMuC2008-90 AN2008-76 |
有線ネットワークを想定して設計されているインターネットプロトコルは、伝送誤りやリンク切断などが頻繁に発生する無線通信環境... [more] | MoMuC2008-90 AN2008-76 pp.29-34(MoMuC), pp.71-76(AN) |
| RCS, AN, MoNA, SR (併催) |
2009-03-05 14:00 |
神奈川 | YRP | パイロットレス伝搬路追従技術を用いたOFDMAシステムにおける適応リソース割当方式 ○坂元一光・牟田 修・赤岩芳彦（九大）・Krishnamurthy Giridhar（インド工科大） RCS2008-243 |
次世代移動通信システムにおけるアクセス方式の候補としてOFDMA(Orthogonal frequency divisi... [more] | RCS2008-243 pp.185-190 |
| IN, NS (併催) |
2009-03-04 11:10 |
沖縄 | 沖縄残波岬ロイヤルホテル | Cut-Through Rebroadcasting for Curve Scenarios in Vehicular Ad Hoc Networks ○Pakornsiri Akkhara・Yuji Sekiya・Yasushi Wakahara（The Univ. of Tokyo） IN2008-182 |
[more] | IN2008-182 pp.297-302 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2008-223 MW2008-188 |
ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの... [more] | ED2008-223 MW2008-188 pp.141-144 |
| SDM | 2008-06-09 13:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | ［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 ○高木信一（東大） SDM2008-42 |
45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマル... [more] | SDM2008-42 pp.1-6 |
| OME, EID (共催) |
2008-03-03 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 変位電流―チャネル電流法によるp型ならびにn型有機薄膜トランジスタの動作解析 ○鈴木聖一・今原博和・真島 豊（東工大） EID2007-105 OME2007-87 |
変位電流－チャネル電流法により、p型材料としてペンタセン、n型材料としてペリレン誘導体を用いた有機薄膜トランジスタの移動... [more] | EID2007-105 OME2007-87 pp.13-18 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 ○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大） R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下... [more] | R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 pp.19-22 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価 ○森 隆志・東 祐介・土屋英昭（神戸大） VLD2007-51 SDM2007-195 |
近年，極微細n-チャネルMOSFETの電流駆動力を向上させるために，Geや?-?族化合物半導体等の高移動度チャネル材料の... [more] | VLD2007-51 SDM2007-195 pp.5-10 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 13:00 |
京都 | 京都大学 | X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 ○柏原 康・増田和俊・松下景一・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
我々はＸ帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN H... [more] | ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56 pp.1-5 |
| RCS, AP, WBS, MW, MoNA (共催) |
2005-03-02 17:00 |
神奈川 | ＹＲＰ | 端末移動特性を考慮した移動通信ネットワークのトラヒック特性 ○栗田茂治・小林岳彦（東京電機大） |
移動通信ネットワークを計画・設計・運用する上で，通信トラヒック特性を明確にすることは重要である．移動通信ネットワークでは... [more] | WBS2004-96 AP2004-277 RCS2004-364 MoMuC2004-147 MW2004-274 pp.237-242 |
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