| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）  ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 |
低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向... [more] | ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 pp.61-66 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:00 |
福井 | 福井大学 | 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 ○酒井亮輔・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 |
多段および傾斜フィールドプレート（FP）を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカル... [more] | ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 pp.47-52 |
| EMCJ | 2006-12-15 15:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 1000Ｖ以下におけるマイクロギャップ放電発生時の放電ギャップ長特性に関する一考察 ○川又 憲（八戸工大）・嶺岸茂樹・芳賀 昭（東北学院大）・藤原 修（名工大） EMCJ2006-92 |
開閉器などの電気接点放電およびESD（静電気放電）によって生じる急峻な過渡変動について時間領域における測定を行ってきた。... [more] | EMCJ2006-92 pp.65-69 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 14:40 |
京都 | 京都大学 | 擬似スーパージャンクション構造を有するＧａＮ縦型ショットキーバリアダイオード ○中澤一志・上野弘明・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
窒化ガリウム（GaN）は、高い絶縁破壊電界と高移動度を有し、次世代ハイパワーデバイス用途に有望な材料である。パワースイッ... [more] | ED2006-156 CPM2006-93 LQE2006-60 pp.23-27 |
| EMCJ | 2006-06-12 | 北海道 | 北海道大学学術交流会館 | 帯電人体の持つ金属棒を介した気中放電による絶縁破壊電界の推定 ○高 義礼・藤原 修（名工大） |
近年のICの高速・低消費電力化により，静電気放電（ESD: Electrostatic discharge）が引き起こす... [more] | |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] | ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]