| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2011-04-19 16:15 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 ○田中隼人・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大）  ICD2011-20 |
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は, 次世代不揮発性メモリとして期待されている. ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵... [more] | ICD2011-20 pp.111-116 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響 ○古川拓也・賀屋秀介・池田成明・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合） ED2010-185 MW2010-145 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETにおいて、高濃度Cドーピングの影響を明らかにするため、AlGaN/GaN界面に近い... [more] | ED2010-185 MW2010-145 pp.55-59 |
| EMCJ (第二種研究会) |
2010-05-28 14:00 |
宮城 | 東北大学サイバーサイエンスセンター | Measurement of the radiated electromagnetic filed intensity using spherical electrodes and a horn antenna ○Ken Kawamata（Hachinohe Inst. of Tech.）・Shigeki Minegishi（Tohoku Gakuin Univ.）・Osamu Fujiwara（NIT） |
The micro-gap discharge as the low voltage ESD shows very fa... [more] | |
| EMCJ, IEE-EMC (共催) |
2009-12-18 14:15 |
岐阜 | 核融合科学研究所 | 低電圧ESDによって発生する放射電磁波の強度特性に関する一考察 ○川又 憲（八戸工大）・嶺岸茂樹（東北学院大）・藤原 修（名工大） |
おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じる静電気放電ESDなどのマイクロギャップ放電に着目し，放電に伴って外... [more] | EMCJ2009-95 pp.59-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発 ○高橋健介・敖 金平（徳島大）・篠原真毅（京大）・丹羽直幹（鹿島建設）・藤原暉雄（翔エンジニアリング）・大野泰夫（徳島大） ED2009-158 CPM2009-132 LQE2009-137 |
マイクロ波を用いた無線電力伝送の大電力化・小型化・高効率化のため、高性能なダイオードが要求されている。ワイドバンドギャッ... [more] | ED2009-158 CPM2009-132 LQE2009-137 pp.145-150 |
| AP | 2009-09-04 14:50 |
青森 | 八戸工大 | マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度とそのバラつきに関する一考察 ○川又 憲（八戸工大）・嶺岸茂樹（東北学院大）・藤原 修（名工大） AP2009-100 |
静電気放電（ESD）あるいは電気接点放電などのうち，おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じるマイクロギャッ... [more] | AP2009-100 pp.121-124 |
| ED | 2009-06-12 11:25 |
東京 | 東京工業大学 | GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 ○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2009-48 |
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である．しかしながら... [more] | ED2009-48 pp.63-67 |
| EMD, EMCJ (共催) |
2009-05-22 14:15 |
東京 | 日本工業大学 神田キャンパス | マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度と電極表面状態の関係 ○川又 憲（八戸工大）・嶺岸茂樹（東北学院大）・藤原 修（名工大） EMCJ2009-17 EMD2009-9 |
ESD静電気放電あるいは電気接点の閉成などに伴い広帯域に及ぶ電磁波が発生する．また，比較的に低い電圧においても電磁妨害が... [more] | EMCJ2009-17 EMD2009-9 pp.45-48 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2008-202 MW2008-167 |
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] | ED2008-202 MW2008-167 pp.23-27 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2008-221 MW2008-186 |
ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] | ED2008-221 MW2008-186 pp.129-133 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計 ○酒井亮輔・岡井智隆・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 |
傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーシ... [more] | ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 pp.109-114 |
| EMCJ, EMD (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | 1kV以下のマイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度の実験的検討 ○川又 憲（八戸工大）・嶺岸茂樹・芳賀 昭（東北学院大）・藤原 修（名工大） EMCJ2008-45 EMD2008-27 |
あらまし ESD（静電気放電）あるいは電気接点放電などのうち、おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じるマイ... [more] | EMCJ2008-45 EMD2008-27 pp.27-30 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:40 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer ○Tadayoshi Deguchi（New Japan Radio）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2008-41 SDM2008-60 |
[more] | ED2008-41 SDM2008-60 pp.9-14 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 10:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・松尾尚慶（松下電器）・永井秀一・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・鶴見直大・石田秀俊・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2008-73 SDM2008-92 |
[more] | ED2008-73 SDM2008-92 pp.177-181 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 10:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 |
低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向... [more] | ED2008-13 CPM2008-21 SDM2008-33 pp.61-66 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:00 |
福井 | 福井大学 | 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 ○酒井亮輔・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 |
多段および傾斜フィールドプレート（FP）を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカル... [more] | ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 pp.47-52 |
| ED | 2007-06-15 13:25 |
富山 | 富山大学 | ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～ ○天清宗山・井上 晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥 友希・石川高英（三菱電機） ED2007-32 |
ミリ波帯増幅器の出力低下の要因である非線形ドレイン抵抗を低減するため、新たに「ステップリセス構造」を採用したGaAs p... [more] | ED2007-32 pp.7-11 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]