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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2010-03-12
14:30
愛知 名古屋大学 Kr+イオン照射によるMnBi薄膜の構造変化と磁気特性制御
徐 倩茜加藤剛志岩田 聡綱島 滋名大MR2009-62
マグネトロンスパッタ成膜と350˚Cの熱処理により作成したMnBi (15 nm)膜に30 keVのKr+イオ... [more] MR2009-62
pp.21-26
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-12-10
13:30
愛媛 愛媛大学 工学部 傾斜異方性ビットパターン媒体におけるスイッチング磁界分散低減機構の解析
本多直樹小向達也東工大MR2009-38
高面記録密度の実現が期待されるビットパターン媒体では,高密度になるほどドット間の静磁気相互作用のためスイッチング磁界の分... [more] MR2009-38
pp.7-11
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-12-10
14:00
愛媛 愛媛大学 工学部 スタティック・テスタによるBPM記録再生特性の基礎検討
青井 基東北大)・嵯峨秀樹東北大/日立)・竜野良亮白幡一樹三塚 要三浦健司島津武仁村岡裕明東北大MR2009-39
今後の垂直磁気記録における高密度化の有力な候補の一つであるビット・パターン媒体 (Bit-Patterned Mediu... [more] MR2009-39
pp.13-18
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-11-13
13:45
東京 早稲田大学 1 Tbit/in2級微細磁性ドットアレイの形状が磁気特性、記録特性に及ぼす影響
有明 順近藤祐治秋田県産技総研センター)・石尾俊二秋田大)・本多直樹東北工大MR2009-30
1 Tbit/in2級のビットパターン媒体(BPM)作製のための作製プロセスや媒体設計上の課題抽出のため,微細磁性ドット... [more] MR2009-30
pp.7-12
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-06-11
14:45
宮城 東北大学電気通信研究所 弱傾斜異方性ビットパターン媒体とシールドプレーナーヘッドを用いた高密度記録のシミュレーション検討
本多直樹東北工大)・山川清志大内一弘秋田県産技総研センターMR2009-3
傾斜異方性ビットパターン媒体の傾斜角を60度とする弱傾斜媒体の記録特性をシミュレーションにより検討した.シールドプレーナ... [more] MR2009-3
pp.9-14
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2009-03-06
16:45
愛知 名古屋大学 CrPt3規則合金膜を利用したイオン照射型ビットパターンメディア
山内幸大・○大島大輝加藤剛志岩田 聡綱島 滋名大)・松本幸治森河 剛山形富士通)・尾崎一幸富士通研MR2008-68
マグネトロンスパッタ製膜後熱処理することで作製したCrPt3規則合金膜(20 nm厚)にKr+,Ar+イオン等を照射し,... [more] MR2008-68
pp.35-39
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2008-12-12
09:30
愛媛 愛媛大学総合情報メディアセンター1F メディアホール 千鳥格子配置パターン媒体における静磁気相互作用と記録マージンの考察
出川直通Simon Greaves村岡裕明東北大)・金井 靖新潟工科大MR2008-46
パターン媒体(BPM)の高記録密度化の課題として,隣接ドットからの静磁気相互作用干渉と隣接トラック消去(ATE)の低減が... [more] MR2008-46
pp.49-53
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2008-12-12
10:50
愛媛 愛媛大学総合情報メディアセンター1F メディアホール 単磁極ヘッドのFEM静磁界およびマイクロマグネティック動磁界解析
平澤和則小山和也神保義裕金井 靖新潟工科大)・吉田和悦工学院大)・Greaves Simon村岡裕明東北大MR2008-48
面記録密度を2 terabit/inch2 と仮定し,有限要素法 (FEM) を用いて静磁界解析を行い,高い記録磁界勾配... [more] MR2008-48
pp.61-66
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2008-10-09
13:30
秋田 秋田県産業技術総合センター 秋田県高度技術研究所 ビットパターン媒体用1Tbit/in2級Co-Ptドットアレイの作製
近藤祐治千葉 隆有明 順田口 香秋田県産技総研センター)・鈴木基寛河村直己高輝度光科学研究センター)・Zulfakri Bin Mohamad保坂純男群馬大)・長谷川 崇石尾俊二秋田大)・本多直樹東北工大MR2008-19
ビットパターン媒体作製に関して,イオンエッチング時に生じる磁気的な加工ダメージを軽減するために,低エネルギーイオンによる... [more] MR2008-19
pp.1-6
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