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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:45 |
京都 | 京都大学 | 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 ○浅田聡志・奥田貴史・木本恒暢・須田 淳（京大）  EID2014-35 SDM2014-130 |
本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅... [more] | EID2014-35 SDM2014-130 pp.115-118 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 14:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | A Novel CMOS-Based PNP BJT Structure for Analog Applications ○Seon-Man Hwang・Yi-Jung Jung・Hyuk-Min Kwon・Jae-Hyung Jang・Ho-Young Kwak・Sung-Kyu Kwon（Chungnam National Univ.）・Yi-Sun Chung・Da-Soon Lee・Jong-Kon Lee（Magnachip Semiconductor Inc.）・Hi-Deok Lee（Chungnam National Univ.） |
In this paper, a novel pnp bipolar junction transistor (BJT)... [more] | |
| OPE, MW (共催) EMT, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2010-07-30 10:50 |
北海道 | 北海道大学 学術交流会館第３・第４会議室 | マルチバンド差動増幅器の利得および帯域の可変方法 ○伊藤康之・坂本和良・曹 イ・櫻井圭太・村田俊彦（湘南工科大） MW2010-60 OPE2010-45 |
次世代マルチバンド・マルチモード無線送受信機用に，利得および帯域可変マルチバンド差動増幅器を開発したので報告する．本増幅... [more] | MW2010-60 OPE2010-45 pp.193-197 |
| SIP, CAS, VLD (共催) |
2009-07-02 13:50 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価 ○濱畑 孝（近畿大）・秋濃(小池) 俊昭（ハーバード大）・秋濃俊郎・江藤剛治（近畿大） CAS2009-19 VLD2009-24 SIP2009-36 |
本論文は，ドレイン側に長いLDDと厚いゲート酸化膜を有する高耐圧MOSFET構造を持ったX-FABの0.6μm SOI-... [more] | CAS2009-19 VLD2009-24 SIP2009-36 pp.103-108 |
| VLD, CAS, SIP (共催) |
2008-06-26 15:45 |
北海道 | 北海道大学 高等教育機能開発センター | 0.18μmSOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの統合CBiCMOSバッファ回路 ○濱畑 孝・宇都怜士・秋濃俊郎（近畿大）・西 謙二（近畿大高専）・竹原幸生・江藤剛治（近畿大） CAS2008-16 VLD2008-29 SIP2008-50 |
本論文では，クロック当り最大5 nFの負荷容量を持つCCDチップを100 MHzの高速で動作するディスクリート素子を搭載... [more] | CAS2008-16 VLD2008-29 SIP2008-50 pp.87-92 |
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