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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）  ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 09:25 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Recent Advances on GaN Vertical Power Device ○Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs., Inc.） ED2008-72 SDM2008-91 |
Two types of the vertical device structure have been develo... [more] | ED2008-72 SDM2008-91 pp.171-175 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT ○大来英之・星 真一・丸井俊治・伊藤正紀・戸田典彦・森野芳昭・玉井 功・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2008-105 SDM2008-124 |
[more] | ED2008-105 SDM2008-124 pp.341-345 |
| ED | 2007-11-27 14:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・山下良美（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT）・松井敏明（NICT） ED2007-190 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し，そのDC，... [more] | ED2007-190 pp.17-21 |
| ED | 2007-06-16 11:00 |
富山 | 富山大学 | 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 ○野本一貴・田島 卓（法政大）・三島友義（日立電線）・佐藤政孝・中村 徹（法政大） ED2007-44 |
本研究では低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGa... [more] | ED2007-44 pp.71-74 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 14:15 |
京都 | 京都大学 | SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究 ○岩崎天彦・石川博康・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高出力・高周波デバイスとして期待されている。今回、電子移動度の向上を目的としMOC... [more] | ED2006-155 CPM2006-92 LQE2006-59 pp.19-22 |
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