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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:30 |
京都 | 京都大学 | スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大）  EID2014-23 SDM2014-118 |
高い電流駆動能力を有する低温（LT）多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）の実現に向け，連続波レーザラテ... [more] | EID2014-23 SDM2014-118 pp.51-54 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:00 |
京都 | 京都大学 | 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 ○梅原智明・堀田昌宏・吉嗣晃治・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-36 SDM2014-131 |
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸... [more] | EID2014-36 SDM2014-131 pp.119-123 |
| SDM | 2014-06-19 11:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 ○生田目俊秀・大井暁彦（物質・材料研究機構）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2014-49 |
Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3層間のコンダクションバンドオフセットが1.8 eVと大きなp-Si/SiO2/... [more] | SDM2014-49 pp.31-35 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 10:55 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析 ○黒田亮太・殷 翔・佐藤将来・葛西誠也（北大） ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34 |
SiNおよびAl2O3をゲート絶縁膜として絶縁ゲート型GaAsエッチングナノワイヤFETのヒステリシス特性とダイナミック... [more] | ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34 pp.91-96 |
| SDM | 2013-12-13 09:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 ○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-117 |
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して，堆... [more] | SDM2013-117 pp.7-11 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 ○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大） ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 |
原子層堆積（ALD）によるAl2O3層を有するInAlN MOS構造について、その電気的特性に対する作製プロセスの影響を... [more] | ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 pp.101-105 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 ○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 |
原子層堆積（ALD）法によりZrO2/Al2O3積層膜を堆積させ、この膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオー... [more] | ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 pp.107-112 |
| ED | 2013-08-09 09:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 ○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） ED2013-45 |
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた．GaSb/GaAs界... [more] | ED2013-45 pp.37-42 |
| SDM | 2013-06-18 09:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 ○柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-46 |
現在，Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で，極薄GeOx界面層の形成により，低界面準位密度（Dit）が実現可能と報... [more] | SDM2013-46 pp.13-18 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大） ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大） ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] | ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 pp.37-40 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures ○Kusumandari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Noriyuki Taoka・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） |
Low temperature processes such as plasma process are require... [more] | |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 ○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大） ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った．ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] | ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 pp.49-52 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:20 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 ○金 聖植・堀 祐臣・谷田部然治・橋詰 保（北大） ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 |
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] | ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 pp.25-28 |
| ED | 2011-07-30 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2011-55 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上に１原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] | ED2011-55 pp.91-96 |
| SDM | 2011-07-04 13:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-59 |
次世代CMOSの実現に向けて，低い界面準位密度（<1011 cm－2-eV－1）と低SiO2等価膜厚（1 nm）とを同時... [more] | SDM2011-59 pp.51-56 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 |
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化... [more] | ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 pp.185-190 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 pp.55-58 |
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