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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ICD	2012-12-17 15:55	東京	東工大蔵前会館ロイアルブルーホール	［ポスター講演］局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束 ○小林大介・宮地幸祐（中大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内　健（中大） ICD2012-94	6T-SRAMにおいて，しきい値電圧（VTH）のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため，パスゲートトランジ... [more]	ICD2012-94 p.31
ICD	2011-04-19 10:55	兵庫	神戸大学瀧川記念館	[依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM ○大内真一・遠藤和彦・柳　永シュン・松川　貴・中川　格・石川由紀・塚田順一・山内洋美・関川敏弘・小池汎平・坂本邦博・昌原明植（産総研） ICD2011-11	本稿では、ランダムばらつきに起因する故障ビットを救済する機能を持つFinFET SRAMについて提案する。このSRAMア... [more]	ICD2011-11 pp.59-63
ICD	2007-04-13 09:40	大分	大分県・湯布院・七色の風	［招待講演］A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die ○Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Kazushi Kono（Renesas Technology）・Yuji Oda（Shikino High-Tech）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Keiichi Usui（Daioh Electric）・Toshiaki Yonezu・Takeshi Iwamoto・Koji Nii・Yasumasa Tsukamoto・Masashi Arakawa・Takahiro Uchida・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology） ICD2007-11	[more]	ICD2007-11 pp.59-64

著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

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