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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大）  EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-16 SDM2015-99 |
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] | EID2015-16 SDM2015-99 pp.31-34 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| ICD | 2015-04-17 10:50 |
長野 | 信州大学 | ［招待講演］Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ ○松嵜隆徳・大貫達也・長塚修平・井上広樹・石津貴彦・家田義紀・坂倉真之・熱海知昭・塩野入 豊・加藤 清・奥田 高・山元良高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・小山 潤・山崎舜平（半導体エネルギー研） ICD2015-9 |
c軸配向した結晶性In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FETを用いたnonvolatile oxide... [more] | ICD2015-9 pp.39-44 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:45 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜の特性評価 ○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-28 SDM2014-123 |
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] | EID2014-28 SDM2014-123 pp.79-82 |
| OME, OPE (共催) |
2014-11-21 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | 高起電力タンデム型色素増感太陽電池に向けたNiO系p型光電極素子の作製 ○大場暁海・山内 博・国吉繁一・酒井正俊・飯塚正明（千葉大）・渡辺康之（諏訪東京理科大）・工藤一浩（千葉大） OME2014-52 OPE2014-132 |
水の電気分解に必要な1.23 V以上の高起電力が得られるタンデム型色素増感太陽電池を目指し、p型酸化物半導体であるNiO... [more] | OME2014-52 OPE2014-132 pp.29-33 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 15:45 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］180nm結晶性酸化物半導体トランジスタを用いた1.5-clock backup/2.5-clock restoreとゼロ・スタンバイ・パワーを実現する32bit CPU ○小山 潤・磯部敦生・田村 輝・加藤 清・王丸拓郎・上杉 航・石津貴彦・大嶋和晃・鈴木康太・筒井直昭・熱海知昭・塩野入 豊・前橋幸男（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・山崎舜平（半導体エネルギー研） SDM2014-70 ICD2014-39 |
極低オフ電流である結晶性酸化物半導体、特にC軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたト... [more] | SDM2014-70 ICD2014-39 pp.45-50 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ ○砂村 潤・古武直也・齋藤 忍・成広 充・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-76 ICD2014-45 |
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術（BEOL-F... [more] | SDM2014-76 ICD2014-45 pp.77-82 |
| OME | 2013-05-16 15:10 |
東京 | 機械振興会館 B3F-2 | 塗布型酸化物半導体バッファ層を用いた有機EL素子 高山 健・○中 茂樹・岡田裕之（富山大） OME2013-27 |
陽極バッファ層として溶液プロセスにより酸化物半導体を成膜した有機EL素子について検討した．MoO3を塗布した素子において... [more] | OME2013-27 pp.23-27 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-25 10:42 |
静岡 | 静岡大学 | TAOS-TFT LCDにおける再充電効果を低減する新規画素設計法 ○川野英郎 EID2012-26 |
従来のアモルファスシリコンに代わって電界効果移動度が大きい酸化物半導体を用いたTFTを液晶表示装置に適用すると再充電効果... [more] | EID2012-26 pp.89-92 |
| SDM | 2012-12-07 13:30 |
京都 | 京都大学(桂) | デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 ○浦川 哲・上岡義弘・山崎はるか・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-125 |
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として，薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が... [more] | SDM2012-125 pp.59-64 |
| ITE-IDY, EID (連催) |
2012-11-07 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | IMID2012報告 ～ TFT関連技術 ～ 日野 綾・○林 和志（神戸製鋼所） |
IMID2012 で発表されたＴＦＴ関連技術に関する講演について、酸化物半導体を中心に概要を報告する。 [more] | |
| SDM | 2010-12-17 17:25 |
京都 | 京都大学(桂) | 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 ○丸山智己・藤井茉美（奈良先端大）・笠見雅司・矢野公規（出光興産）・堀田昌宏・石河泰明（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2010-203 |
非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は，透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で，有用な材料である．a-I... [more] | SDM2010-203 pp.99-102 |
| CPM | 2010-10-28 16:40 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | 高周波スパッタリングによるニッケル酸化物の作製及び評価 ○永田篤史・内田和男・小泉 淳・小野 洋・野崎眞次（電通大） CPM2010-96 |
ITO、ZnOに代表される酸化物半導体の電気伝導はn型が主流であるが、NiOxはイントリンシックでp型伝導を有する酸化物... [more] | CPM2010-96 pp.27-31 |
| ED | 2009-04-23 15:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ ○金子幸広・田中浩之・加藤剛久・嶋田恭博（パナソニック） ED2009-5 |
微細化可能な新規不揮発性メモリとして，酸化物材料の積層構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタを開発した．SrTiO3... [more] | ED2009-5 pp.17-22 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ ○徳光永輔・柴田 宏・大岩朝洋・近藤洋平（東工大） SDM2008-11 OME2008-11 |
強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料... [more] | SDM2008-11 OME2008-11 pp.51-56 |
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