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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2013-08-09 11:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2013-49 |
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] | ED2013-49 pp.61-65 |
| ED | 2008-06-14 11:20 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ○森 雅之・斉藤光史・長島恭兵・上田広司・吉田達雄・前澤宏一（富山大） ED2008-37 |
Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、Si基板に対して30°回転し、結晶性や電気的特... [more] | ED2008-37 pp.81-84 |
| ED | 2008-06-14 11:45 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 ○斉藤光史・森 雅之・上田広司・前澤宏一（富山大） ED2008-38 |
我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している... [more] | ED2008-38 pp.85-90 |
| SDM | 2008-06-10 09:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構） SDM2008-49 |
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして，III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] | SDM2008-49 pp.41-46 |
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