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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2014-11-07
10:50
東京 機械振興会館 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果
末岡浩治神山栄治中村浩三岡山県立大)・イアン ファンヘレモントゲント大SDM2014-104
LSIの基板として格子間Si原子(I)と原子空孔(V)を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] SDM2014-104
pp.47-52
ED 2014-10-21
13:30
北海道 北大エンレイソウ カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第3報)
樋口敏春佐々木正洋堀江翔太山田洋一筑波大)・松本修二福田茂樹高エネルギー加速器研究機構ED2014-62
コーン型シリコンエミッタにカーボンを被覆することにより,エミッション特性は約2桁向上する.我々はエミッション向上機構の解... [more] ED2014-62
pp.1-6
SDM 2014-06-19
10:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性:第一原理計算による検討
佐々木奨悟中山隆史千葉大SDM2014-46
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] SDM2014-46
pp.17-20
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
15:35
愛知 名古屋大学VBL3階 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃名大)・山本貴博東京理科大)・白石賢二名大ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
磁気抵抗メモリは,不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており,次世代のメモリデバ... [more] ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
pp.47-50
IBISML 2014-03-06
13:25
奈良 奈良女子大学 マルチタスク学習を用いた複数物性値の同時予測
岩瀬智亮東大)・世古敦人京大)・鹿島久嗣東大IBISML2013-68
有用な材料を新規に発見することは材料科学分野における主要課題のひとつであるが、この課題に対する計算機科学的アプローチのひ... [more] IBISML2013-68
pp.9-13
SDM 2013-11-14
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]計算科学に基づく電子デバイス設計の現状
白石賢二名大SDM2013-101
最近の計算科学は材料・デバイス開発においても大きな役割を占めるようになってきている。中でも第一原理計算に代表される物質設... [more] SDM2013-101
pp.9-14
SDM 2013-11-14
13:50
東京 機械振興会館 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション
金村貴永加藤弘一谷本弘吉青木伸俊豊島義明東芝SDM2013-102
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍... [more] SDM2013-102
pp.15-20
ED 2012-11-19
14:00
大阪 阪大中之島センター カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討 (第1報)
樋口敏春佐々木正洋遠藤俊宏堀江翔太山田洋一筑波大)・松本修二福田茂樹高エネルギー加速器研究機構ED2012-54
コーン型シリコンエミッタにカーボンを被覆することにより,エミッション特性は約2桁向上する.我々はエミッション向上機構の解... [more] ED2012-54
pp.1-6
SDM 2012-06-21
13:35
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 第一原理計算によるGe表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析
飯島郁弥澤野憲太郎東京都市大)・牛尾二郎日立)・丸泉琢也白木靖寛東京都市大SDM2012-52
Ge(100)及びGe(111)表面上におけるドーパント原子の表面偏析挙動の理解のため、Ge表面5層のクラスタモデルを用... [more] SDM2012-52
pp.47-51
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
14:10
北海道 北海道大学 百年記念会館 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
葛屋陽平モラル ダニエル水野武志田部道晴静岡大)・水田 博北陸先端大/サザンプトン大ED2011-143 SDM2011-160
MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチ... [more] ED2011-143 SDM2011-160
pp.7-11
SDM 2011-11-11
10:25
東京 機械振興会館 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較
滝口直也木場隼介神戸大)・○土屋英昭神戸大/JST)・小川真人神戸大SDM2011-121
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] SDM2011-121
pp.33-38
SDM 2011-07-04
09:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成
影島博之日比野浩樹山口浩司NTT)・永瀬雅夫徳島大SDM2011-51
SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバ... [more] SDM2011-51
pp.7-10
SDM 2011-07-04
14:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調:第一原理計算による理論的検討
小日向恭祐中山隆史千葉大SDM2011-62
金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子... [more] SDM2011-62
pp.69-73
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
15:40
愛知 名古屋大学 VBL グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長
好田慎一瀧澤俊幸長尾宣明石田昌宏上田哲三パナソニックED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27
グラファイトは軽量かつ熱伝導性に優れており、窒化物半導体の下地基板に用いると様々なデバイス応用が期待できることから、近年... [more] ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27
pp.67-70
SDM 2010-06-22
11:25
東京 東京大学(生産研An棟) 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調:第一原理計算による化学的傾向の検討
小日向恭祐丸田勇亮中山隆史千葉大SDM2010-37
金属/Si界面に発生する偏析原子層の安定性とショットキーバリア変調の化学的傾向を、偏析原子種をII族からVII族までを変... [more] SDM2010-37
pp.23-26
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
14:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究
白石賢二岩田潤一筑波大/JST)・小幡輝明筑波大)・押山 淳東大/JSTED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
pp.47-50
SDM 2009-06-19
10:20
東京 東京大学(生産研An棟) Si酸化における界面反応の第一原理計算
秋山 亨三重大)・影島博之NTT)・植松真司慶大)・伊藤智徳三重大SDM2009-28
Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more] SDM2009-28
pp.9-13
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-14
16:15
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス 第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析
中島佑基市村正也名工大ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14
Cu2ZnSnS4(CZTS)はヘテロ接合型太陽電池の光吸収層材料の新材料として期待されている物質である。本研究では、第... [more] ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14
pp.31-35
SDM [詳細] 2008-11-14
16:40
東京 機械振興会館 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析
前川忠史山内恒毅原 孟史土屋英昭小川真人神戸大SDM2008-183
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] SDM2008-183
pp.83-88
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