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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-10-20 14:00 |
福岡 | 九州大学西新プラザ | 磁気渦コアの運動および極性反転の誘導検出シミュレーション ○牙 暁瑞・田中輝光・松山公秀（九大）  MR2016-23 |
本研究では，磁気渦コア(VC)の運動解析と極性反転に関するシミュレーション結果について述べる．磁気渦コア(VC)の運動に... [more] | MR2016-23 pp.19-22 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 15:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション ○洗平昌晃（名大）・山本貴博（東京理科大）・白石賢二（名大） ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 |
磁気抵抗メモリは，不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており，次世代のメモリデバ... [more] | ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 pp.47-50 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| ICD | 2005-04-15 10:30 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア ○辻 高晴（ルネサステクノロジ）・谷崎弘晃（ルネサスデバイスデザイン）・石川正敏・大谷 順・山口雄一郎・上野修一・大石 司・日高秀人（ルネサステクノロジ） |
MRAM (Magnetic Random Access Memory) は無制限の書き換え／読み出し回数による高信頼性... [more] | ICD2005-13 pp.1-6 |
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