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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2021-12-01 10:35 |
ONLINE | オンライン開催 | 不揮発性FFを用いたマルチコンテキストCGRA ○亀井愛佳・小島拓也・天野英晴（慶大）・横山大輝・宮内陽里・宇佐美公良（芝浦工大）・平賀啓三・鈴木健太（ソニーセミコンダクタソリューションズ）  VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28 |
近年，バッテリー駆動のエッジデバイスでは計算性能と並びアイドル時の省電力性能が重要視される．またIoT 端末に高頻度の間... [more] | VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28 pp.19-24 |
| VLD | 2017-03-01 14:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ストア／リストア分離型不揮発性フリップフロップにおけるパワーゲーティング技術の有効性評価 ○工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-103 |
本稿では不揮発性パワーゲーティングを実現するために必要な不揮発性フリップフロップ回路（NVFF）について議論する。従来の... [more] | VLD2016-103 pp.7-12 |
| SDM | 2016-01-28 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 ○町田友樹・守谷 頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川 生・増渕 覚（東大）・上野啓司（埼玉大） SDM2015-123 |
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述... [more] | SDM2015-123 pp.13-16 |
| SDM | 2015-03-02 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-166 |
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて，メモリアレイのデータ保持特性... [more] | SDM2014-166 pp.23-28 |
| ICD | 2014-04-18 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦（NEC）・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-17 |
磁気トンネル接合素子（MTJ）による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路（NV-F/F）を用いた，パワーゲーティング... [more] | ICD2014-17 pp.85-90 |
| ICD | 2013-04-11 09:50 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ ○角田浩司・能代英之・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・射場義久・畑田明良・中林正明・長永隆志・青木正樹・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-2 |
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した．このMTJはCoFeB/MgO界... [more] | ICD2013-2 pp.5-10 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2012-10-18 17:05 |
秋田 | 秋田県産業技術センター(AIT) 高度技術研究館 | CoFeB/MgO-磁気トンネル接合の特性改善を目指した窒化物キャップ層の作製 ○杉原 敦・大崎創一郎・中谷亮一（阪大） MR2012-24 |
CoFeB/MgO磁気トンネル接合においては，キャップ層原子のCoFeB層中への拡散を低減することによって特性が大幅に改... [more] | MR2012-24 pp.37-42 |
| ICD | 2011-04-18 10:00 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ［招待講演］スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） ICD2011-1 |
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続し... [more] | ICD2011-1 pp.1-5 |
| SDM | 2010-11-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） SDM2010-173 |
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続... [more] | SDM2010-173 pp.11-15 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
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