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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-01-28 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 ○隅田 圭・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2020-54 |
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] | SDM2020-54 pp.21-24 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 14:40 |
ONLINE | オンライン開催 | Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性 ○川角優斗・安井悠人（福井大）・柏木行康・玉井聡行（阪産技研）・塩島謙次（福井大） ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61 |
界面顕微光応答法（SIPM）を用いて，Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価を行っ... [more] | ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61 pp.37-40 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2020-10-05 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | Co2FeSi/MgO二層構造における垂直磁気異方性の評価 ○松下瑛介・高村陽太・スタットラー嘉也・中川茂樹（東工大） MRIS2020-4 |
ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金 Co_2FeSi(CFS)/MgO 二層膜における垂直磁気異方性の起源を調... [more] | MRIS2020-4 pp.16-19 |
| EA, US (併催) |
2020-01-22 10:30 |
京都 | 同志社大学 | ［ポスター講演］マイクロカプセル破壊率とキャビテーション気泡サイズに対する界面活性剤添加の影響 ○乾 綾華・荒町優衣・本多 敦・山本 健（関西大） US2019-70 EA2019-83 |
我々は，過去の研究においてマイクロカプセルの超音波破壊がキャビテーション気泡に起因することを報告した．超音波下のキャビテ... [more] | US2019-70 EA2019-83 pp.1-5 |
| CPM | 2019-11-08 10:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | ［招待講演］界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2次元評価 ○塩島謙次（福井大） CPM2019-51 |
埋もれた金属／半導体界面を非破壊で2次評価できる界面顕微光応答法を開発し、ワイドバンドギャップ半導体のショットキー接触、... [more] | CPM2019-51 pp.35-38 |
| OME | 2019-02-15 13:10 |
沖縄 | 沖縄青年会館 | ［招待講演］表面化学修飾ナノコーティング技術による表面・界面機能制御 ○中村挙子（産総研） OME2018-46 |
カーボンおよびポリマー材料は軽量，化学的安定性，高生体適合性などを示すことから，機能性材料としての研究開発が活発になって... [more] | OME2018-46 pp.1-4 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 |
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] | ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 pp.17-20 |
| OME | 2018-11-28 13:00 |
兵庫 | じばさんビル502室（姫路） | ［招待講演］蓄積電荷測定法(ACM)による有機半導体／金属界面の電荷注入障壁測定 ○田島裕之・角屋智史（兵庫県立大） OME2018-26 |
蓄積電荷測定(accumulated charge measurement = ACM)により、有機半導体／金属界面の電... [more] | OME2018-26 pp.1-4 |
| SDM | 2018-11-09 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング ○田中 一・森 伸也（阪大） SDM2018-71 |
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し，モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った．フォ... [more] | SDM2018-71 pp.35-40 |
| SDM | 2018-10-18 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討 ○前田康貴・朴 鏡恩・小松勇貴・大見俊一郎（東工大） SDM2018-60 |
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] | SDM2018-60 pp.41-45 |
| US | 2018-07-31 11:05 |
京都 | 京都工繊大学 | インクジェットを用いた液体物性の高時間分解能測定 ○山岡夏樹・横田涼輔・平野太一・美谷周二朗・酒井啓司（東大） US2018-31 |
液体の表面・界面物性を決定するパラメータを，インクジェット液滴を利用することで1 msオーダーの非常に高速な時間領域で観... [more] | US2018-31 pp.5-9 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| SDM | 2018-06-25 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ ○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大） SDM2018-20 |
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] | SDM2018-20 pp.19-22 |
| SDM | 2018-06-25 15:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 ○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2018-23 |
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流... [more] | SDM2018-23 pp.33-36 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・牧野久雄・橋本慎輔・濵田賢一朗・増田健太郎・古田 守（高知工科大） SDM2018-8 OME2018-8 |
In–Ga–Zn–O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSch... [more] | SDM2018-8 OME2018-8 pp.33-36 |
| ICD, MW (共催) |
2018-03-02 11:00 |
滋賀 | 滋賀県立大 | 銅張誘電体基板に挟まれた誘電体円柱共振器を用いた界面比導電率の周波数依存性測定に関する検討 ○平野勇作・清水隆志・古神義則（宇都宮大） MW2017-191 ICD2017-115 |
これまで銅張誘電体基板に挟まれた誘電体円柱共振器を用いた界面比導電率評価法の検討を行い、14GHz帯における有効性を確認... [more] | MW2017-191 ICD2017-115 pp.83-86 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 17:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング ○渡邉時暢（富山大）・堀 匡寛・小野行徳（静岡大） ED2017-115 SDM2017-115 |
0.3－300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し，10... [more] | ED2017-115 SDM2017-115 pp.51-56 |
| US, EA (併催) |
2018-01-24 10:55 |
大阪 | 関西大学 | 飛翔液滴形状解析による動的界面張力測定 ○山岡夏樹・横田涼輔・浅井 遼・平野太一・美谷周二朗・酒井啓司（東大） US2017-104 |
液体の動的表面張力と動的界面張力を数100μs~数msという高速な時間領域で同時に測定する手法の開発に成功した．溶け合わ... [more] | US2017-104 pp.119-123 |
| OME | 2017-12-28 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］色素増感太陽電池とペロブスカイト太陽電池の高効率化に向けた界面修飾 ○村上拓郎（産総研） OME2017-56 |
色素増感太陽電池の高効率化を目的とした再結合抑制機能を付与した色素開発とペロブスカイト太陽電池の高効率化を目的とした電子... [more] | OME2017-56 pp.37-42 |
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