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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 17:05 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング ○渡邉時暢（富山大）・堀 匡寛・小野行徳（静岡大）  ED2017-115 SDM2017-115 |
0.3－300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し，10... [more] | ED2017-115 SDM2017-115 pp.51-56 |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 10:25 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング 渡辺時暢（静岡大/富山大）・堀 匡寛・○小野行徳（静岡大） ED2016-131 SDM2016-148 |
チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SO... [more] | ED2016-131 SDM2016-148 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2016-03-03 16:20 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング ○渡辺時暢・堀 匡寛・小野行徳（富山大） ED2015-125 SDM2015-132 |
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し，100K以下の温... [more] | ED2015-125 SDM2015-132 pp.23-26 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM | 2013-06-18 17:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 ○梅田享英（筑波大）・岡本光央・小杉亮治（産総研）・荒井 亮・佐藤嘉洋（筑波大）・原田信介・奥村 元（産総研）・牧野高紘・大島 武（原子力機構） SDM2013-64 |
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）はノーマリーオフ，高パワー密度，超低損失のパワーデバイスとして... [more] | SDM2013-64 pp.101-105 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
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