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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2010-12-17 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）  LQE2010-120 |
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い，通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている．我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] | LQE2010-120 pp.27-32 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-28 16:25 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 ○藤澤 剛・荒井昌和・藤原直樹・小林 亘・田所貴志・都築 健・赤毛勇一・伊賀龍三・山中孝之・狩野文良（NTT） PN2009-45 OPE2009-183 LQE2009-165 |
中、長距離用の100 Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3 m帯の電界吸収型変調器集積レーザを開... [more] | PN2009-45 OPE2009-183 LQE2009-165 pp.57-60 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 13:25 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 半導体光アイソレータを用いた一方向発振リングレーザの設計と試作 ○河野嘉孝・森 俊秋・清水大雅（東京農工大） PN2009-57 OPE2009-195 LQE2009-177 |
半導体リングレーザは全光信号処理のための有力なデバイスとして注目されている。ただし単体のリングレーザは構造の線対称性によ... [more] | PN2009-57 OPE2009-195 LQE2009-177 pp.119-122 |
| LQE | 2009-12-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） LQE2009-148 |
近年の急激な通信量の増加に伴い，直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている．我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] | LQE2009-148 pp.51-56 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上... [more] | ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 pp.65-70 |
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