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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-12-04 14:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象 ○原 明人・佐藤 功（東北学院大）  SDM2009-163 |
多結晶シリコン薄膜は薄膜トランジスタや太陽電池材料として注目されているが、それらのデバイスの性能・効率・信頼性の向上のた... [more] | SDM2009-163 pp.63-65 |
| CPM | 2009-10-29 14:25 |
富山 | 富山県立大学 | 低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価 ○佐野裕紀・都築 暁・梅田卓司・成田 克・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） CPM2009-90 |
金属不純物としてCu、Niを1×1013/cm3の濃度で含むSi単結晶基板を用いて、高効率太陽電池の試作を試みた。ゲッタ... [more] | CPM2009-90 pp.5-7 |
| SDM | 2008-10-10 15:45 |
宮城 | 東北大学 | シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 ○永嶋賢史・赤堀浩史（東芝） SDM2008-166 |
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] | SDM2008-166 pp.63-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） SDM2008-135 ICD2008-45 |
微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] | SDM2008-135 ICD2008-45 pp.41-46 |
| SDM | 2008-06-09 16:50 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性 ○齋藤真澄・小林茂樹・内田 建（東芝） SDM2008-46 |
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な... [more] | SDM2008-46 pp.23-27 |
| ICD | 2007-04-13 13:50 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上 ○砂村 潤・五十嵐多恵子・森岡あゆ香・小辻 節・忍田真希子・五十嵐信行・藤枝信次・渡辺啓仁（NEC） ICD2007-15 |
微細化されたSONOS型不揮発性メモリにおける保持力向上のため、ゲート絶縁膜への金属不純物添加によるトラップ形成を提案す... [more] | ICD2007-15 pp.83-88 |
| CPM, EE (共催) |
2007-03-02 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | 様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計 ○江沢 徹・関屋大雄・呂 建明・谷萩隆嗣（千葉大） EE2006-69 CPM2006-162 |
本研究では, 様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計を行う. シャントキャパシタに含... [more] | EE2006-69 CPM2006-162 pp.41-46 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討 ○芦澤芳夫・岡 秀樹（富士通研） |
微細化にともない原子レベルの不純物分布がデバイス特性に与えるばらつきが問題となっている．離散的な不純物のδ関数的な濃度分... [more] | VLD2006-40 SDM2006-161 pp.7-12 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング ○園田賢一郎・石川清志・栄森貴尚・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] | VLD2006-42 SDM2006-163 pp.19-24 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:40 |
北海道 | 函館国際ホテル | FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計 ○岡野王俊・石田達也・佐々木貴彦・泉田貴士・近藤正樹・藤原 実・青木伸俊・稲葉 聡・大塚伸朗・石丸一成・石内秀美（東芝） |
FinFETを用いたhp22nm nodeのSRAMの実現可能性について、Static Noise Margin(SNM... [more] | SDM2005-154 ICD2005-93 pp.67-72 |
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