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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 14:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 ○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通）  ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 |
高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD：Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造... [more] | ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 pp.15-20 |
| SDM | 2023-11-10 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション ○橋本風渡・鈴木刀真・三成英樹・中﨑暢也・小町 潤（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・佐野伸行（筑波大） SDM2023-69 |
本研究では、不純物の離散性とトラップによるキャリア捕獲励起過程をモンテカルロデバイスシミュレーションに正しく導入し、n型... [more] | SDM2023-69 pp.31-34 |
| SDM | 2019-11-08 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ～ 半導体ナノ構造におけるランダム不純物 ～ ○佐野伸行（筑波大） SDM2019-75 |
半導体デバイスにドープされた離散的で空間に局在した不純物のデバイスシミュレーションにおける取り扱い方法は、デバイス特性ば... [more] | SDM2019-75 pp.33-38 |
| SDM | 2019-06-21 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測 ○筒井一生（東工大）・松下智裕（高輝度光科学研究センター）・名取鼓太郞・小川達博（東工大）・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・森川良忠（阪大）・星井拓也・角嶋邦之・若林 整（東工大）・林 好一（名工大）・松井文彦（分子科学研）・木下豊彦（高輝度光科学研究センター） SDM2019-30 |
光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて、Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは、S... [more] | SDM2019-30 pp.23-27 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-18 13:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | THz波光源用GaSe結晶の実用化に向けたGe添加GaSe結晶とGaSe1-xTex混晶の低温液相成長 ○佐藤陽平・唐 超・田邉匡生・小山 裕（東北大） ED2017-73 |
本研究ではTHz波光源用非線形光学結晶として使用するGaSe結晶を溶液成長により作製している．今回はGaSe結晶からの低... [more] | ED2017-73 pp.5-8 |
| SDM | 2017-11-09 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル ○植松真司（慶大） SDM2017-64 |
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC（炭化ケイ素）における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] | SDM2017-64 pp.15-20 |
| SDM | 2017-11-10 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～ ○佐野伸行（筑波大） SDM2017-68 |
ナノスケール半導体デバイスにランダムドープされたイオン化不純物の離散性による輸送特性やデバイスモデリングへの影響について... [more] | SDM2017-68 pp.37-42 |
| ED | 2016-12-19 16:55 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | 高効率THz波発生のための両性不純物Ge添加GaSe結晶の液相成長 ○佐藤陽平・趙 枢・田邉匡生・前田建作・小山 裕（東北大） ED2016-85 |
我々は蒸気圧制御温度差液相成長法によりTHz波光源用GaSeの結晶成長を行っている。GaSe結晶は高い非線形光学定数と複... [more] | ED2016-85 pp.29-33 |
| SDM | 2016-10-26 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御 ○嵯峨幸一郎（ソニー） SDM2016-69 |
半導体デバイスの多様化にともない、DRAMトレンチキャパシタ、CMOSイメージセンサ、高耐圧トランジスタなどSi基板の深... [more] | SDM2016-69 pp.1-8 |
| ED | 2015-12-21 16:30 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | 高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 ○鈴木康平・佐藤陽平・前田健作・小山 裕（東北大） ED2015-98 |
我々は蒸気圧制御温度差液相成長法により差周波混合THz波発生に向けた層状半導体GaSe結晶の成長を行っている。GaSeは... [more] | ED2015-98 pp.41-46 |
| SDM | 2015-11-05 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］半導体における不純物拡散モデリングの現状 ○植松真司（慶大） SDM2015-84 |
CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また... [more] | SDM2015-84 pp.1-6 |
| ED | 2014-12-23 14:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 蒸気圧制御温度差液相成長法によるTHz発生用GaSe結晶の成長とその評価 ○鈴木康平・長井悠輝・山本邦彦・佐藤陽平・前田健作・齊藤恭介・小山 裕（東北大） ED2014-115 |
GaSe結晶は高い複屈折性(no=2.9082, ne=2.5676 @1.06μm)、広い透過波長領域(0.6~20μ... [more] | ED2014-115 pp.97-102 |
| SDM | 2014-11-06 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～ ○執行直之（東芝） SDM2014-100 |
TCADは，デバイス開発に必須なツールとなっている．仮想的な試作により，開発期間の短縮やプロセスばらつきに強いロバスト設... [more] | SDM2014-100 pp.25-30 |
| SDM | 2013-11-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション ～ 不純物散乱と遮蔽の影響の考察 ～ ○植田暁子（筑波大）・Mathieu Luisier（チューリッヒ工科大）・吉田勝尚・本多周太・佐野伸行（筑波大） SDM2013-110 |
高濃度にドープされたn型のシリコンナノワイヤで構成されたジャンクションレストランジスタ(JLT)において, 遮蔽効果を伴... [more] | SDM2013-110 pp.61-64 |
| OME | 2013-03-05 10:35 |
佐賀 | 産総研九州センター | フォトリフラクティブポリマー動作における暗電流の影響と高速化 ○佐々高史・藤原 隆（理研） OME2012-92 |
低ガラス転移温度フォトリフラクティブポリマーを用いて、電界パルス印加によって生じる過渡暗電流が光誘起屈折率回折格子の形成... [more] | OME2012-92 pp.9-12 |
| SDM | 2012-06-21 15:05 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-56 |
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] | SDM2012-56 pp.69-74 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 11:00 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 ○ファイズ サレ（静岡大/学振）・三輪一聡・池田浩也（静岡大） ED2011-153 SDM2011-170 |
ナノ構造化によりゼーベック係数を増加するためには、フェルミエネルギーを不純物バンドの影響無しに制御する必要があることがわ... [more] | ED2011-153 SDM2011-170 pp.65-69 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-10-15 11:45 |
秋田 | 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 | ［招待講演］FePt垂直スピン注入源を用いたAuにおける巨大スピンホール効果 ○関 剛斎・菅井 勇（東北大）・三谷誠司（物質・材料研究機構）・高梨弘毅（東北大） MR2010-33 |
非磁性体のスピン軌道相互作用に起因したスピンホール効果は、強磁性体を用いなくともスピン流－電流の変換が可能となるため、新... [more] | MR2010-33 pp.71-76 |
| CPM | 2010-09-10 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作 ○都築 暁・武田大樹・佐野裕紀・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） CPM2010-87 |
現在、多結晶Si太陽電池は製造コストが高く、低コスト化が望まれている。従来の多結晶Si製造法であるシーメンス法を用いずに... [more] | CPM2010-87 pp.37-40 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 13:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2009-197 SDM2009-194 |
シリコンナノ構造の熱電特性について調べている．リンをドープしたn 型の極薄SOI（silicon-on-insulato... [more] | ED2009-197 SDM2009-194 pp.5-9 |
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