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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2017-04-20 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 ○中村俊貴・小林惇朗・竹内 健（中大）  ICD2017-6 |
クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々な... [more] | ICD2017-6 pp.29-34 |
| ICD | 2017-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） ICD2017-7 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | ICD2017-7 pp.35-38 |
| ICD | 2017-04-20 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 ○中野全也・伊藤 孝・山内忠昭・山口泰男・河野隆司・日高秀人（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-8 |
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] | ICD2017-8 pp.39-44 |
| ICD | 2017-04-20 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology ○Ryuji Yamashita・Sagar Magia（WDC）・Tsutomu Higuchi・Kazuhide Yoneya・Toshio Yamamura（Toshiba）・Hiroyuki Mizukoshi・Shingo Zaitsu・Minoru Yamashita・Shunichi Toyama・Norihiro Kamae・Juan Lee・Shuo Chen・Jiawei Tao・William Mak・Xiaohua Zhang（WDC） ICD2017-9 |
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] | ICD2017-9 pp.45-50 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-03-09 15:50 |
沖縄 | 具志川農村環境改善センター | ソフトウェア制御型SSDを用いたゲノム解析向けデータ近傍演算の高速化 ○桑村慎哉・風間 哲・吉田英司・小川淳二・三吉貴史・野口泰生（富士通研） CPSY2016-139 DC2016-85 |
データ移動コストを削減してシステムを高速化するため、メモリの近傍で演算を行うデータ近傍演算が最近注目されている。今回、我... [more] | CPSY2016-139 DC2016-85 pp.45-50 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-03-10 17:00 |
沖縄 | 具志川農村環境改善センター | ビッグデータ解析に向けたスケーラブルなデータセントリックコンバージドシステム ○佐々木勇輝・高橋健治・坂主圭史・木下敦寛（東芝） CPSY2016-162 DC2016-108 |
成長を続けるIoT市場におけるデータ解析の要求に対応する為に、スケールアウト可能な分散アーキテクチャが求められている。し... [more] | CPSY2016-162 DC2016-108 pp.399-404 |
| SDM | 2017-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） SDM2016-134 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | SDM2016-134 pp.17-20 |
| IT, SIP, RCS (共催) |
2017-01-20 10:00 |
大阪 | 大阪市立大学（杉本キャンパス） | 同一順位に複数のセルが属するランク変調符号の群論的な表現とその応用について ○須藤 尊・渋谷智治（上智大） IT2016-86 SIP2016-124 RCS2016-276 |
本論文では, 置換行列のなす群の順列への作用を用いて, フラッシュメモリに対するランク変調符号の群論的な表現を与えている... [more] | IT2016-86 SIP2016-124 RCS2016-276 pp.231-236 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析 ○渡邉 光・小林惇朗・竹内 健（中大） ICD2016-66 CPSY2016-72 |
近年、クラウド技術やSNSの普及により、データが局所的に読み出されるアプリケーションが増加している。ソリッド・ステート・... [more] | ICD2016-66 CPSY2016-72 p.51 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析 ○榊 佑季哉・山賀祐典・竹内 健（中大） ICD2016-69 CPSY2016-75 |
NAND型フラッシュメモリのメモリセルは年々微細化され、チップ容量の大容量化が成されている一方で、ビットエラーが増大し、... [more] | ICD2016-69 CPSY2016-75 p.57 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラー傾向の解析 ○溝口恭史・高橋知紀・有留誠一・竹内 健（中大） ICD2016-72 CPSY2016-78 |
近年、芸術や文化、歴史などの10年から100年、またはそれ以上のデータ保持が求められるデジタルデータが急増している。これ... [more] | ICD2016-72 CPSY2016-78 p.63 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を利用した高信頼化手法 ○中村俊貴・出口慶明・竹内 健（中大） ICD2016-73 CPSY2016-79 |
NAND型フラッシュメモリは1つのメモリセルに対して複数のビットを記録することで大容量化を実現している。中でも1つのメモ... [more] | ICD2016-73 CPSY2016-79 p.65 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるデータ保持エラーの低減 ○佐藤優一・出口慶明・小林惇朗・竹内 健（中大） ICD2016-76 CPSY2016-82 |
NAND型フラッシュメモリは多値化や微細化により、1bit当たりのコストが低下している。しかし、一つのメモリセルに3bi... [more] | ICD2016-76 CPSY2016-82 p.75 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:25 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 半導体ストレージシステムにおけるSCM, MLC/TLC NANDフラッシュメモリの最適な構成の設計 ○松井千尋・山賀祐典・杉山佑輔・竹内 健（中大） CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72 |
さまざまな種類のデータを高速に処理するために，ストレージクラスメモリ(SCM)，multi-level cell (ML... [more] | CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72 pp.7-10 |
| IT | 2016-07-28 14:55 |
福岡 | 福岡大学セミナーハウス | ICI制約を満すバランス符号の漸近的な符号化率の導出について ○鎌部 浩（岐阜大） IT2016-26 |
ICIフリー(Inter-Cell-Interference free)制約とバランス制約とを同時に満す 制約の漸近... [more] |
IT2016-26 pp.31-36 |
| ICD | 2016-04-15 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ガベージコレクション最適化によるLBA scramblerを使用したしたSSDの高速化 ○松井千尋・荒川飛鳥・孫 超・Tomoko Ogura Iwasaki・竹内 健（中大） ICD2016-13 |
NANDフラッシュSSDは，空のブロックを確保するガベージコレクション(GC)動作によって書き込み性能が制限される．以前... [more] | ICD2016-13 pp.65-69 |
| ICD | 2016-04-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 ○中西 悟・三谷秀徳・松原 謙・吉田 浩・河野隆司・帯刀恭彦・伊藤 孝・倉藤 崇・野口健二・日高秀人・山内忠明（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-15 |
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] | ICD2016-15 pp.77-81 |
| IT, ISEC, WBS (共催) |
2016-03-11 11:15 |
東京 | 電気通信大学 | 整数計画法に基づくマルチレベルフラッシュメモリに適したWOM符号の構成 ○藤野陽樹・和田山 正（名工大） IT2015-129 ISEC2015-88 WBS2015-112 |
本稿では，整数計画法に基づくフラッシュメモリに適した 多値WOM(Write-Once-Memory) 符号の構成法を提... [more] | IT2015-129 ISEC2015-88 WBS2015-112 pp.169-174 |
| IT, ISEC, WBS (共催) |
2016-03-11 11:40 |
東京 | 電気通信大学 | 最隣接点誤り多レベル通信路のゼロエラー容量の漸近評価 ○中野貴文・和田山 正（名工大） IT2015-130 ISEC2015-89 WBS2015-113 |
本研究では，最隣接点誤り多レベル通信路のゼロエラー容量の評価を行う．$d$組($d$-tuple)で表される送信系列のた... [more] | IT2015-130 ISEC2015-89 WBS2015-113 pp.175-180 |
| DC | 2015-12-18 14:00 |
新潟 | クリエート村上(村上市) | NANDフラッシュメモリのためのP/E サイクルを考慮した誤り訂正符号 ○浅井万平・北神正人（千葉大） DC2015-76 |
近年のＮＡＮＤフラッシュメモリでは高集積化を目的として，1メモリセルに2ビット以上の情報を格納可能なマルチレベルセル（Ｍ... [more] | DC2015-76 pp.17-22 |
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