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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測 ○筒井一生（東工大）・松下智裕（高輝度光科学研究センター）・名取鼓太郞・小川達博（東工大）・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・森川良忠（阪大）・星井拓也・角嶋邦之・若林 整（東工大）・林 好一（名工大）・松井文彦（分子科学研）・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）  SDM2019-30 |
光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて、Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは、S... [more] | SDM2019-30 pp.23-27 |
| SDM | 2016-11-11 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高品位Si，Ge基板の開発に資する第一原理計算 ～ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ～ ○末岡浩治（岡山県立大） SDM2016-87 |
最近10年間において，半導体シリコン（Si）結晶中の真性点欠陥，すなわち原子空孔（V）と自己格子間原子（I）の物性や挙動... [more] | SDM2016-87 pp.49-54 |
| SDM | 2014-11-07 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 ○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大） SDM2014-104 |
LSIの基板として格子間Si原子（I）と原子空孔（V）を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] | SDM2014-104 pp.47-52 |
| SDM | 2008-10-10 15:45 |
宮城 | 東北大学 | シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 ○永嶋賢史・赤堀浩史（東芝） SDM2008-166 |
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] | SDM2008-166 pp.63-68 |
| ED, OME (共催) |
2007-09-21 13:50 |
福岡 | 九州工業大学 飯塚キャンパス | 新規ドーパントにおけるポリピロール膜の電解伸縮 ○加藤慶一・高嶋 授・金藤敬一（九工大） ED2007-151 OME2007-38 |
ポリピロール膜は電解重合時に用いるドーパントや溶媒の種類によって，膜質やECMDが大きく変わる．本件急では長鎖アルキル鎖... [more] | ED2007-151 OME2007-38 pp.41-44 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］Si single-electron FETs for single-photon detection ○Michiharu Tabe・Ratno Nuryadi・Zainal Burhanudin（Shizuoka Univ.） |
我々は、Ｓｉデバイスのブレークスルーにとって、３つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一... [more] | |
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