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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-07 14:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 ○浅井栄大・張 文馨・岡田直也・福田浩一・入沢寿史（産総研）  SDM2019-37 ICD2019-2 |
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン グを実... [more] |
SDM2019-37 ICD2019-2 pp.7-10 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:00 |
東京 | 日立中研 | ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 ○熊崎祐介・尾崎史朗・美濃浦優一・牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・中村哲一（富士通研） ED2018-77 MW2018-144 |
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として，オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] | ED2018-77 MW2018-144 pp.51-54 |
| SDM | 2018-10-17 15:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating ○Kaname Imokawa（Kyushu Univ）・Nozomu Tanaka（Kyushu Univ.）・Akira Suwa（Kyushu Univ）・Daisuke Nakamura・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）・Tetsuya Goto（New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.）・Hiroshi Ikenoue（Kyushu Univ） SDM2018-54 |
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温（～500度）のプロセスが必要とされ，プリンタブ... [more] | SDM2018-54 pp.11-14 |
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