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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-12-16 10:00 |
愛媛 | 愛媛大学 | コリメータスパッタ堆積膜の結晶配向制御 ○本多章人・本多直樹（東北工大）  MR2011-33 |
傾斜コリメータスパッタリングによる傾斜配向膜の作製を検討した。大きな傾斜角を得るには，傾斜コリメータの使用だけでは効果が... [more] | MR2011-33 pp.57-62 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 10:50 |
富山 | 富山県民会館 | ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 ○杉崎絵美子・宮田俊敬・大島康礼・外園 明・安達甘奈・宮野清孝・辻井秀二・川中 繁・稲葉 聡・井谷孝治・飯沼俊彦・豊島義明（東芝） SDM2011-75 ICD2011-43 |
ナノスケール世代のMOSFETのスケーリングにおいては、ソースドレインエクステンション（SDE）不純物プロファイル設計の... [more] | SDM2011-75 ICD2011-43 pp.23-27 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 ○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 |
beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基... [more] | ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 pp.77-81 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大） ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 pp.135-138 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大） ED2010-85 SDM2010-86 |
ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、... [more] | ED2010-85 SDM2010-86 pp.149-153 |
| OME | 2010-05-27 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | TPD/Alq3構造有機ELへの後処理が素子特性に及ぼす影響 ○前田 祐・湯口隆彦・向井直礼・岩崎好孝・上野智雄（東京農工大） OME2010-20 |
有機ELの電気から光への変換過程において、素子を構成する有機物の膜質が特性に大きな影響を与える。そこで我々は素子の膜質に... [more] | OME2010-20 pp.15-19 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 10:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○茅野真也・山口直哉・以西雅章（静岡大） ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 pp.57-60 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 17:10 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 ○永田賢吾・市川友紀・竹田健一郎・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 |
Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて，異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った。酸素雰囲気中で活性化し... [more] | ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123 pp.75-80 |
| SDM | 2009-10-30 11:30 |
宮城 | 東北大学 | ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化 ○田主裕一朗・河野陽輔・黒木伸一郎・小谷光司（東北大）・村 直美・山上公久・古村雄二（フィルテック）・伊藤隆司（東北大） SDM2009-128 |
ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール... [more] | SDM2009-128 pp.47-50 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-21 13:50 |
宮城 | 東北大学 | BOF(Band-pass filter On Fiber-end)のポストアニールによる中心波長変化 ○小松康俊・山口正剛・中野正行・斧田誠一（渡辺製作所） EMD2009-51 CPM2009-75 OPE2009-99 LQE2009-58 |
光ファイバの先端に誘電体多層膜からなるBOFを蒸着してセンサとして用いる場合，蒸着時のBOFの特性ばらつきでセンサ特性が... [more] | EMD2009-51 CPM2009-75 OPE2009-99 LQE2009-58 pp.129-134 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-21 14:50 |
宮城 | 東北大学 | スパッタリング法によるErドープTaOx薄膜の作製とその発光特性 ○三浦健太・狩野一総・伏木厳穣・シン マヤンク・花泉 修（群馬大） EMD2009-53 CPM2009-77 OPE2009-101 LQE2009-60 |
rfスパッタリングによりErドープTaOx薄膜を成膜し，アニール後，波長550nm及び670nm付近の2つの発光ピークが... [more] | EMD2009-53 CPM2009-77 OPE2009-101 LQE2009-60 pp.141-144 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 13:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 青色EL素子用SrS：Cu薄膜の評価 ○山田典史・宝珍敬志・以西雅章（静岡大） ED2009-19 CPM2009-9 SDM2009-9 |
青色EL素子の高輝度化を目的として、SrS:Cu薄膜を生成し、結晶特性およびPL(Photoluminescent)発光... [more] | ED2009-19 CPM2009-9 SDM2009-9 pp.7-10 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 14:45 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 ○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大） ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 pp.17-20 |
| SCE | 2009-01-29 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | MOD法により作製したBi-2212/MgO薄膜のface-to-faceアニールによる均一性の向上 ○濱中公志・立木 隆・内田貴司（防衛大） SCE2008-32 |
我々は、テラヘルツ帯で動作する発振器・検出器などへの応用を目指し、真空装置を必要とせず、低コストで大面積での成膜が可能な... [more] | SCE2008-32 pp.1-6 |
| SDM | 2008-12-05 10:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果 ○西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2008-184 |
抵抗スイッチング特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年... [more] | SDM2008-184 pp.1-4 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| CPM | 2008-10-30 14:30 |
新潟 | 新潟大学 | 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化 ○大島 穣・牧野雄一郎（長岡技科大）・片桐裕則・新保和夫（長岡高専）・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志（長岡技科大） CPM2008-78 |
Alドープ酸化亜鉛 （AZO）の堆積において第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法を用いることで従来のrfマグネトロ... [more] | CPM2008-78 pp.19-22 |
| SDM | 2008-10-10 13:00 |
宮城 | 東北大学 | B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性 ○川崎洋司・遠藤誠一・北澤雅志・丸山祥輝・山下朋弘・黒井 隆・吉村秀文・米田昌弘（ルネサステクノロジ） SDM2008-161 |
B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにお... [more] | SDM2008-161 pp.37-40 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 13:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価 ○山田典史・板倉巧周・倉地雄史・以西雅章（静岡大） ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23 |
青色EL素子の高輝度化を目的として、SrS:Cu薄膜を生成し、結晶特性および発光特性の熱処理(ステップアニール)条件依存... [more] | ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23 pp.11-14 |
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