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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM ○藪内 誠・森本薫夫・塚本康正・田中信二・田中浩司・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2014-144 |
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] | SDM2014-144 pp.37-40 |
| ICD | 2012-12-18 13:30 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］CMOSアナデジ混載回路とその応用 ○香西昌平（東芝） ICD2012-118 |
近年のアナログCMOS集積回路はデジタル回路との関わりが密接になり、様々なことが可能となった。そのCMOS回路、特にデジ... [more] | ICD2012-118 pp.115-120 |
| ICD | 2010-04-22 10:50 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・中瀬泰伸・篠原尋史（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-3 |
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。 読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more] |
ICD2010-3 pp.13-16 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］[招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・篠原尋史（ルネサステクノロジ） SDM2008-178 |
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] | SDM2008-178 pp.55-60 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡 進（ルネサステクノロジ）・山上由展・石倉 聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範（松下電器）・篠原尋文（ルネサステクノロジ） SDM2008-131 ICD2008-41 |
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] | SDM2008-131 ICD2008-41 pp.17-22 |
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