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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
11:35
北海道 函館国際ホテル poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ~ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ~
由上二郎ルネサステクノロジ)・嶋本泰洋日立)・井上真雄水谷斉治林 岳志賀克哉藤田文子土本淳一大野吉和米田昌弘ルネサステクノロジ
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] SDM2005-149 ICD2005-88
pp.37-42
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