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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-07-23
14:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研ED2016-27
 [more] ED2016-27
pp.1-4
ED 2015-07-24
14:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
美濃浦優一岡本直哉多木俊裕尾崎史朗牧山剛三鎌田陽一渡部慶二富士通研ED2015-38
 [more] ED2015-38
pp.9-13
MW, ED
(共催)
2015-01-16
10:40
東京 機械振興会館 X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発
新井田佳孝鎌田陽一多木俊裕尾崎史朗牧山剛三岡本直哉佐藤 優増田 哲渡部慶二富士通研ED2014-127 MW2014-191
 [more] ED2014-127 MW2014-191
pp.59-63
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉増田 哲常信和清富士通ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor:HEMT)の... [more] ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
pp.81-84
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