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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire ○Tomohiro Murata・Masayuki Kuroda（Matsushita Electric Industrial）・Shuichi Nagai（Panasonic Boston Lab.）・Masaaki Nishijima・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Hiroyuki Sakai・Tsuyoshi Tanaka（Matsushita Electric Industrial）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）  ED2008-103 SDM2008-122 |
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] | ED2008-103 SDM2008-122 pp.331-335 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ ○福田健志・根来 昇・宇治田信二・永井秀一・西嶋将明・酒井啓之・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-223 MW2007-154 |
26GHz帯超高帯域無線(UWB)を用いた車載用近距離レーダの無線部およびマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の試... [more] | ED2007-223 MW2007-154 pp.93-97 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 14:55 |
福井 | 福井大学 | 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED ○福島康之・高瀬裕志・薄田 学・折田賢児・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 |
紫外発光ダイオード（LED）は光触媒や白色LEDの励起光源等への応用が期待されている。今回紫外LEDの低コスト化を実現で... [more] | ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 pp.19-23 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:25 |
福井 | 福井大学 | 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ ○黒田正行・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望で... [more] | ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 pp.53-56 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications ○Yasuhiro Uemoto・Masahiro Hikita・Hiroaki Ueno・Tomohiro Murata・Hisayoshi Matsuo・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Matsushita） |
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more] | |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化 ○松尾尚慶・上野弘明・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
[more] | ED2006-234 MW2006-187 pp.189-192 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 16:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 ○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中 毅・井上 薫（松下電器） |
[more] | R2006-38 ED2006-183 SDM2006-201 pp.39-42 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 14:40 |
京都 | 京都大学 | 擬似スーパージャンクション構造を有するＧａＮ縦型ショットキーバリアダイオード ○中澤一志・上野弘明・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
窒化ガリウム（GaN）は、高い絶縁破壊電界と高移動度を有し、次世代ハイパワーデバイス用途に有望な材料である。パワースイッ... [more] | ED2006-156 CPM2006-93 LQE2006-60 pp.23-27 |
| SCE | 2006-07-06 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | SQUIDと磁気マーカーを用いた液相での免疫検査システムの開発 ○西本岳史・松田隆嗣・徳満英俊・田中剛志・円福敬二（九大） |
磁気マーカーとSQUIDセンサを用いた液相での免疫検査システムを開発し、このシステムを用いてIgEと呼ばれる蛋白質の検出... [more] | SCE2006-19 pp.35-40 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 格子整合系六方晶ＩｎＡｌＧａＮ四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数 ○瀧澤俊幸・中澤敏志・上田哲三・田中 毅（松下電器）・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2005-202 MW2005-156 pp.17-21 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作 ○黒田正行・石田秀俊・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有し、低オン抵抗と高耐圧を必要とする将来のパワーデバイスに向け非... [more] | ED2005-205 MW2005-159 pp.35-39 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 13:35 |
佐賀 | 佐賀大学 | 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器 ○西嶋将明・村田智洋・廣瀬 裕・引田正洋・根来 昇・酒井啓之・上本康裕・井上 薫・田中 毅・上田大助（松下電器） |
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] | ED2005-165 MW2005-120 pp.39-43 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 14:50 |
滋賀 | 立命館大学 | GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ ○中澤敏志・上田哲三・井上 薫・田中 毅（松下電器）・石川博康・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2005-130 CPM2005-117 LQE2005-57 pp.57-61 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] | ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET ○村田智洋・引田正洋・廣瀬 裕・井上 薫・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器） |
[more] | ED2004-214 MW2004-221 pp.13-17 |
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