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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
CPM, LQE, ED (共催)	2016-12-13 14:40	京都	京大桂キャンパス	テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 ○藤井高志（立命館大/PNP）・達　紘平・荒木　努・名西やすし（立命館大）・岩本敏志・佐藤幸徳（PNP）・長島　健（摂南大） ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94	多くの無機半導体中電子の散乱時間（τ）は、おおよそ0.1psecオーダーである。そのため、複素導電率のTHz周波数帯で... [more]	ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 pp.103-106
ED, LQE, CPM (共催)	2015-11-26 10:30	大阪	大阪市立大学・学術情報センター会議室	RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討 ○荒木　努・武馬　輝・増田　直・名西やす之（立命館大）・織田真也・人羅俊実（FLOSFIA） ED2015-68 CPM2015-103 LQE2015-100	[more]	ED2015-68 CPM2015-103 LQE2015-100 pp.1-4
ED, LQE, CPM (共催)	2012-11-30 09:55	大阪	大阪市立大学	DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長 ○荒木　努・上松　尚・阪口順一・王　科（立命館大）・山口智広（工学院大）・Euijoon Yoon（ソウル国立大）・名西やす之（立命館大） ED2012-78 CPM2012-135 LQE2012-106	[more]	ED2012-78 CPM2012-135 LQE2012-106 pp.55-58
CPM, LQE, ED (共催)	2010-11-11 10:25	大阪	阪大中ノ島センター	RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 ○荒木　努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99	[more]	ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 pp.7-10
ED, LQE, CPM (共催)	2009-11-19 10:50	徳島	徳島大学（常三島キャンパス・工業会館）	RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長～配列制御InNナノコラム成長について～ ○荒木　努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111	InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビ... [more]	ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 pp.19-24
LQE, ED, CPM (共催)	2008-11-27 11:45	愛知	名古屋工業大学	RF-MBE法を用いたLiAlO2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価 ○高木悠介・野沢浩一・山口智広・荒木　努・名西憓之（立命館大） ED2008-157 CPM2008-106 LQE2008-101	今回、LiAlO2 (100)基上に無極性M面InNの結晶成長に成功したので報告する。RF-MBE法を用いて、LiAlO... [more]	ED2008-157 CPM2008-106 LQE2008-101 pp.25-28
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 16:10	京都	京都大学	マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析 ○小坂賢一・藤嶌辰也（立命館大）・井上　薫（素子協）・檜木啓宏（立命館大）・山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・神谷慎一（素子協）・鈴木　彰（立命館大/素子協）・荒木　努・名西ヤスシ（立命館大）	[more]	ED2006-159 CPM2006-96 LQE2006-63 pp.39-43
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 16:25	京都	京都大学	ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御 ○山口泰平・直井弘之・荒木　努・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2006-174 CPM2006-111 LQE2006-78 pp.117-120
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 09:30	滋賀	立命館大学	凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 ○武藤大祐・直井弘之・荒木　努・北川幸雄・黒内正仁・羅　ヒョンソク・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-118 CPM2005-105 LQE2005-45 pp.1-4
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 10:10	滋賀	立命館大学	ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長～無極性InNの検討～ ○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木　努・直井弘之・名西やすし（立命館大）	我々はECR-MBE法 (ECRプラズマ分子線エピタキシー法) を用いて、R面(10-12) サファイア基板に窒化処理を... [more]	ED2005-120 CPM2005-107 LQE2005-47 pp.9-12
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 10:30	滋賀	立命館大学	原子状水素照射によるInNの極性評価 ○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木　彰・荒木　努・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-121 CPM2005-108 LQE2005-48 pp.13-16
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 11:20	滋賀	立命館大学	RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 ○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木　努・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-123 CPM2005-110 LQE2005-50 pp.23-28
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 16:00	滋賀	立命館大学	GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 ○檜木啓宏（立命館大）・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-133 CPM2005-120 LQE2005-60 pp.71-74
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 16:20	滋賀	立命館大学	AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク ○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-134 CPM2005-121 LQE2005-61 pp.75-78

著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

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