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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2008-10-31
11:20
新潟 新潟大学 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源
斉藤裕史山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2008-87
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、高効率な電子放出源を作製することを提案した。導体表面に垂直配向させ... [more] CPM2008-87
pp.71-74
CPM 2008-08-04
14:25
北海道 室蘭工業大学 スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
宮崎 慶田口義之斉藤裕史宮永琢也山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2008-42
スパッタ堆積した炭素薄膜の電界電子放出特性について検討した.比較的高い圧力下で堆積することにより,閾値電界の低い電界電子... [more] CPM2008-42
pp.5-8
CPM 2007-11-17
10:15
新潟 長岡技術科学大学 バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製
石田芳樹陳 晨萩原正宜塩沢宏章仙石 昌林部林平山上朋彦上村喜一信州大CPM2007-118
我々はこれまでにRFプラズマ窒化法によりSiC表面に窒化絶縁膜を形成してSiC-MIS構造を作製する方法を提案し,窒化膜... [more] CPM2007-118
pp.69-72
CPM 2006-11-09
15:45
石川 金沢大学 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用
塩野晃宏中久木政秀小林勲生山上朋彦林部林平信州大)・小畑元樹シチズンファインテック)・阿部克也上村喜一信州大
 [more] CPM2006-118
pp.31-35
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
16:00
京都 京都大学 SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
山口哲生石田芳樹陳 晨萩原正宜林部林平山上朋彦阿部克也・○上村喜一信州大
 [more] ED2006-173 CPM2006-110 LQE2006-77
pp.113-116
CPM 2005-11-11
15:10
福井 福井大学 プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価
山口哲生劉 穎慎石田芳樹山上朋彦林部林平阿部克也上村喜一信州大
SiCのMOSデバイス応用において大きな問題となっている熱酸化膜中の炭素起因欠陥を抑制し,良質なMIS構造を形成すること... [more] CPM2005-156
pp.25-28
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