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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大）  EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | IGZOのアニール温度に対するMR効果の変化 ○宮村祥吾・志賀春紀・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜（龍谷大） EID2015-17 SDM2015-100 |
[more] | EID2015-17 SDM2015-100 pp.35-38 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:30 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | CrSiNの磁気特性測定 ○志賀春紀・宮村祥吾・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜（龍谷大）・廣島 安（KOA） EID2015-18 SDM2015-101 |
[more] | EID2015-18 SDM2015-101 pp.39-42 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:30 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 低温Poly-Si TFTの赤外線照射に対する電流特性評価 ○北島秀平・木藤克哉・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・井上昌秀（華為技術日本） EID2015-21 SDM2015-104 |
[more] | EID2015-21 SDM2015-104 pp.53-56 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ～ TFTのin vitro実験 ～ ○春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-22 SDM2015-105 |
薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発を行っている．今回は，薄膜トランジスタで作製したCMOSインバータとリングオシ... [more] | EID2015-22 SDM2015-105 pp.57-60 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 16:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 簡略化エレメントを用いたニューラルネットワークのFPGAによる動作検証 ○中村奈央・森田竜平・古我祐貴・中西弘樹・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-23 SDM2015-106 |
ニューラルネットワークは，生体の脳・神経系が持つ高度な情報処理機能の実現を目指すものである．我々は，薄膜トランジスタを用... [more] | EID2015-23 SDM2015-106 pp.61-64 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 16:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 超簡略化構造のセルラニューラルネットワークの研究開発 ～ FPGAと可変抵抗による動作検証 ～ ○中西弘樹・森田竜平・古我裕貴・中村奈央・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-24 SDM2015-107 |
[more] | EID2015-24 SDM2015-107 pp.65-68 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY (連催) [詳細] |
2015-07-28 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | SID2015報告：AMD関連分野 ○松田時宜（龍谷大） EID2015-4 |
Display Week 2015 (SID’15) が2015年5月31日～6月5日までの日程にてアメリカ合衆国カリフ... [more] | EID2015-4 pp.37-40 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-23 09:00 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | Poly-Si Hall素子による磁場センサ ～ 高電圧印加とオペアンプ回路による感度向上 ～ ○吉川朗登・松本貴明・宮村祥吾・志賀春紀・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・小澤徳郎・青木幸司・郭 志徹（エーユーオージャパン） EID2014-47 |
我々は，poly-Si Hall素子による磁場センサの研究開発を行っている．本研究では，感度を向上させるため、Hall素... [more] | EID2014-47 pp.49-52 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:00 |
京都 | 京都大学 | n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価 ○渕矢剛宏・前田善春・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-21 SDM2014-116 |
フォトセンサ応用を目指して、n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPT の光伝導性を評価した．ゲート... [more] | EID2014-21 SDM2014-116 pp.41-44 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:15 |
京都 | 京都大学 | N型・P型・PIN型薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調型フォトセンサの特性比較 ○前田善春・渕矢剛宏・門目尭之・田中 匠・春木翔太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-22 SDM2014-117 |
N型・P型・PIN型薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調型フォトセンサの，出力周波数の照度依存性を比較した．N型・P... [more] | EID2014-22 SDM2014-117 pp.45-50 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:45 |
京都 | 京都大学 | Poly-Si TFTを用いたハイブリッド型温度センサの特性比較 ○木藤克哉・林 久志・北島秀平・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-24 SDM2014-119 |
我々は，Poly-Si TFTのオフ電流の温度依存性を利用した温度センサの研究開発を行っている．N型・P型・PIN型Po... [more] | EID2014-24 SDM2014-119 pp.55-59 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:00 |
京都 | 京都大学 | Poly-Si TFTを用いた同期回路と非同期回路の特性評価 ○永瀬洋介（龍谷大）・松田時宜・木村 睦（阪大）・松本健俊・小林 光（龍谷大） EID2014-25 SDM2014-120 |
我々はPoly-Si TFTを用いて2入力，3入力のNAND回路を作製し，動作検証を行った．3入力は2入力と比較して出力... [more] | EID2014-25 SDM2014-120 pp.61-65 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:30 |
京都 | 京都大学 | ゲート付きPoly-Si Hall素子と IGZO Hall素子による磁場センサの研究開発 ○松本貴明・吉川朗登・宮村祥吾・志賀春紀・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・小澤徳郎・青木幸司・郭 志徹（エーユーオージャパン） EID2014-27 SDM2014-122 |
[more] | EID2014-27 SDM2014-122 pp.73-77 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:45 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜の特性評価 ○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-28 SDM2014-123 |
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] | EID2014-28 SDM2014-123 pp.79-82 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 15:00 |
京都 | 京都大学 | IGZO薄膜に対する成膜条件による影響 ○西野克弥・高橋宏太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-29 SDM2014-124 |
[more] | EID2014-29 SDM2014-124 pp.83-87 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 15:15 |
京都 | 京都大学 | ITZO TFTを用いたタッチパネル回路の特性解析 ○古我祐貴・松田時宜（龍谷大）・古田 守（高知工科大）・木村 睦（龍谷大） EID2014-30 SDM2014-125 |
ITZOを活性層に使用した酸化物TFT（ITZO TFT）はフラットパネルディスプレイの駆動素子として注目されている。本... [more] | EID2014-30 SDM2014-125 pp.89-93 |
| SDM | 2013-12-13 09:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ ○大山翔平・松村 篤・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） SDM2013-118 |
本研究ではpin Thin-Film Photo-Transistor (TFPT)の電流電圧特性の照度依存性と、pol... [more] | SDM2013-118 pp.13-18 |
| SDM | 2013-12-13 11:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発 ○井上雅志・松田時宜・木村 睦（龍谷大） SDM2013-123 |
本研究では、Poly-Si TFTを用いたゲートアレイの設計開発を行った。今回は、相補型インバータとNAND、NORを実... [more] | SDM2013-123 pp.43-47 |
| R | 2011-05-13 15:00 |
高知 | 高知市文化プラザ「かるぽーと」 | 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム ○古田 守・平松孝浩・松田時宜・平尾 孝（高知工科大）・鎌田雄大・藤田静雄（京大） R2011-11 |
[more] | R2011-11 pp.19-22 |
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