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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2008-10-30
13:25
新潟 新潟大学 パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
小前泰彰齋藤 健長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克九工大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2008-76
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2008-76
pp.7-12
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
10:40
北海道 かでる2・7(札幌) Study of Self-Heating Phenomena in Si Nano Wire MOS Transistor
Tetsuo EndohKousuke TanakaYuto NorifusaTohoku Univ.ED2008-59 SDM2008-78
In this study, I have numerically investigated the temperatu... [more] ED2008-59 SDM2008-78
pp.101-105
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
10:55
北海道 かでる2・7(札幌) Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism
Yuto NorifusaTetsuo EndohTohoku Univ.ED2008-60 SDM2008-79
In this paper, the device performances of sub-10nm Vertical ... [more] ED2008-60 SDM2008-79
pp.107-111
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) Novel Concept Dynamic Feedback MCML Technique for High-Speed and High-Gain MCML type D-Flip Flop
Tetsuo EndohMasashi KamiyanagiTohoku Univ.ED2008-82 SDM2008-101
In this paper, I propose the novel Dynamic Feedback (DF-) MC... [more] ED2008-82 SDM2008-101
pp.227-231
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
11:05
北海道 かでる2・7(札幌) Impact of 180nm Current Controlled MCML for Realizing Stable Circuit Operations under Threshold Voltage Fluctuations
Masashi KamiyanagiYuto NorifusaTetsuo EndohTohoku Univ.ED2008-83 SDM2008-102
We propose Current Controlled MOS Current Mode Logic (CC-MCM... [more] ED2008-83 SDM2008-102
pp.233-238
CPM 2007-11-17
09:00
新潟 長岡技術科学大学 ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ~ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ~
深田祐介安部和貴黒木雄一郎長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆東北大)・成田 克九工大)・遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2007-115
 [more] CPM2007-115
pp.55-58
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