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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET ○Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2010-95 SDM2010-96 |
In this paper, we compare the 1/f noise characteristics of H... [more] | ED2010-95 SDM2010-96 pp.195-198 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:05 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Impact of Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-98 SDM2010-99 |
Several kinds of capacitor-less DRAM cells based on planar S... [more] | ED2010-98 SDM2010-99 pp.211-216 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:05 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The optimum physical targets of the 3-dimensional vertical FG NAND flash memory cell arrays with the extended sidewall control gate (ESCG) structure ○Moon-Sik Seo（Tohoku Univ.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-101 SDM2010-102 |
Recently, the 3-dimensional vertical Floating Gate (FG) NAND... [more] | ED2010-101 SDM2010-102 pp.225-230 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 11:35 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of Current Controlled-MOS Current Mode Logic /Magnetic Tunnel Junction Hybrid Circuit for Stable and High-speed Operation ○Tetsuo Endoh・Masashi Kamiyanagi・Masakazu Muraguchi・Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki（Tohoku Univ.） ED2010-109 SDM2010-110 |
In order to realize Integrated Circuits (IC) with operation ... [more] | ED2010-109 SDM2010-110 pp.257-262 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 11:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Verification of Stable Circuit Operation of 180nm Current Controlled MOS Current Mode Logic under Threshold Voltage Fluctuation ○Masashi Kamiyanagi・Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-110 SDM2010-111 |
We have succeeded in the verification of stable circuit oper... [more] | ED2010-110 SDM2010-111 pp.263-267 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Over 1GHz High-Speed Current Pulse Generation Circuit for Novel Nonvolatile Memory Cells ○Tetsuo Endoh・Yasuhiko Suzuki・Takuya Imamoto・Hyoungjun Na（Tohoku Univ.） ED2010-114 SDM2010-115 |
In this paper, a new 2 step program method is proposed to re... [more] | ED2010-114 SDM2010-115 pp.283-288 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-120 SDM2010-121 |
In this study, we focus on the electron propagation in the V... [more] | ED2010-120 SDM2010-121 pp.309-313 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| ICD | 2010-04-22 15:20 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array ○鈴木大輔・夏井雅典・池田正二（東北大）・長谷川晴弘（日立）・三浦勝哉（東北大/日立）・早川 純（日立）・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2010-9 |
本稿では，磁気トンネル接合素子 (MTJ: Magnetic Tunnel Junction) 素子特性を活用することで... [more] | ICD2010-9 pp.47-52 |
| CPM | 2009-08-10 16:05 |
青森 | 弘前大学 | 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 ○三浦創史・中澤日出樹・西崎圭太（弘前大）・末光眞希（東北大）・安井寛治（長岡技科大）・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・成田 克（山形大） CPM2009-36 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン（MMS）を用いた高周波プラズマ化学気... [more] | CPM2009-36 pp.13-18 |
| CPM | 2009-08-11 11:40 |
青森 | 弘前大学 | 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 齋藤 健・永田一樹（長岡技科大）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・高田雅介・赤羽正志・○安井寛治（長岡技科大） CPM2009-45 |
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] | CPM2009-45 pp.61-66 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 11:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト ○遠藤哲郎・羽生貴弘（東北大） SDM2009-111 ICD2009-27 |
近年のCMOS技術の課題を受けて、More MooreやMore than Mooreといった技術トレンドに加えて、Be... [more] | SDM2009-111 ICD2009-27 pp.73-78 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Current Controlled MOS Current Mode Logic with Auto-detection of Threshold Voltage Fluctuation ○Tetsuo Endoh・Hyoungjun Na（Tohoku Univ.） ED2009-55 SDM2009-50 |
A Current Controlled (CC-) MOS Current Mode Logic (MCML) cir... [more] | ED2009-55 SDM2009-50 pp.21-24 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Design of 30nm FinFET with Halo Structure ○Tetsuo Endoh・Koji Sakui・Yukio Yasuda（Tohoku Univ../JST-CREST） ED2009-64 SDM2009-59 |
Design of 30nm FinFETs with halo structure for suppressing t... [more] | ED2009-64 SDM2009-59 pp.63-66 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST-CREST） ED2009-89 SDM2009-84 |
We have studied transmission property of electron in vertica... [more] | ED2009-89 SDM2009-84 pp.169-172 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Sub-10 nm Multi-Nano-Pillar Type Vertical MOSFET ○Tetsuo Endoh・Koji Sakui・Yukio Yasuda（Tohoku Univ./JST-CREST） ED2009-90 SDM2009-85 |
The excellent performance of 10nm gate Multi-Nano-Pillar typ... [more] | ED2009-90 SDM2009-85 pp.173-176 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura（Univ. of Tsukuba.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.） ED2009-93 SDM2009-88 |
We have revealed that the electronic states in the electrode... [more] | ED2009-93 SDM2009-88 pp.185-188 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Future High Density Memory with Vertical Structured Device Technology ○Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-95 SDM2009-90 |
[more] | ED2009-95 SDM2009-90 pp.193-196 |
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