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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
14:00
熊本 熊本市 [招待講演]A 25Gb/s Hybrid Integrated Silicon Photonic Transceiver in 28nm CMOS and SOI
Toshihiko MoriYanfei ChenMasaya KibuneFujitsu Lab.)・Asako TodaFujitsu Lab. America)・Akinori HayakawaTomoyuki AkiyamaShigeaki SekiguchiHiroji EbeNobuhiro ImaizumiTomoyuki AkahoshiFujitsu Lab.)・Suguru AiyamaShinsuke TanakaTakasi SimoyamaPETRA)・Ken MoritoFujitsu Lab.)・Takuji YamamotoFujitsu Lab. AmericaSDM2015-70 ICD2015-39
 [more] SDM2015-70 ICD2015-39
pp.69-72
LQE, LSJ
(共催)
2014-05-22
14:25
福井 福井大学文京キャンパス 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送
松田 学植竹理人下山峰史奥村滋一高林和雅江川 満山本剛之富士通研LQE2014-3
半絶縁性 InP 基板上に作製した 1.3-μm 帯 AlGaInAs DR レーザアレイの 43 Gb/s 直接変調実... [more] LQE2014-3
pp.9-13
LQE 2012-12-13
11:00
東京 機械振興会館 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調
下山峰史松田 学奥村滋一植竹理人江川 満山本剛之富士通研LQE2012-124
AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector(DR)レーザの高速直接変調動作を報告する。本レ... [more] LQE2012-124
pp.15-18
OPE, LQE
(共催)
2008-06-27
10:35
東京 機械振興会館 InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光型スイッチの開発
永瀬成範秋本良一Cong Guangwei下山峰史物集照夫挾間壽文石川 浩産総研OPE2008-20 LQE2008-21
InAlAs中央バリアを用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸において、全光型位相変調(XPM)が増大した。これよ... [more] OPE2008-20 LQE2008-21
pp.11-16
LQE, OPE, OCS
(共催)
2007-11-01
10:25
福岡 九州工業大学 マッハツェンダー干渉型サブバンド間遷移全光スイッチによる160Gb/s信号の多重分離動作
秋本良一下山峰史土田英実並木 周リム チェンガン物集照夫永瀬成範石川 浩挾間寿文産総研OCS2007-42 OPE2007-97 LQE2007-83
 [more] OCS2007-42 OPE2007-97 LQE2007-83
pp.15-18
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