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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 11:35 |
北海道 | 北見工業大学 | n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析 ○松田敏弘・杉山裕也・岩田栄之（富山県立大）・大曽根隆志（岡山県立大）  SDM2007-161 ICD2007-89 |
MOSFETの非対称性，配置方位依存性はアナログ回路では重要な設計パラメータである．45°単位で回転した方向にMOSFE... [more] | SDM2007-161 ICD2007-89 pp.113-116 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 09:00 |
北海道 | 北海道大学 | CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造 ○大曽根隆志・石井英二・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・松田敏弘・岩田栄之（富山県立大） |
ホットキャリアに起因するCMOSFETの信頼性がチャネル幅方向の中心付近か素子分離端近傍の何れで支配的に決定されるかを評... [more] | SDM2006-142 ICD2006-96 pp.99-104 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 13:50 |
北海道 | 函館国際ホテル | LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ）・ドレイン解析用テスト構造 ○大曽根隆志（岡山県立大）・松田敏弘（富山県立大）・岡田和彦・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・岩田栄之（富山県立大） |
LDD構造CMOSFETの（高ドープ/低ドープ）・ドレインの電気的特性を分離して解析するために，種々のゲート間隔Ｓを有す... [more] | SDM2005-137 ICD2005-76 pp.55-60 |
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