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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大）  ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Carbon nanotube-based plastic electronics ○Yutaka Ohno（Nagoya Univ., Aalto Univ.）・Dong-ming Sun・Kentaro Higuchi（Nagoya Univ.）・Marina Y. Timmermans・Antti Kaskela・Albert G. Nasibulin（Aalto Univ.）・Shigeru Kishimoto（Nagoya Univ.）・Esko I. Kauppinen（Aalto Univ.）・Takashi Mizutani（Nagoya Univ.） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 12:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Solution-based high-frequency field-effect transistors with purified semiconductor carbon nanotubes ○Masaki Inagaki・Kensuke Hata・Kazunari Shiozawa・Yasumitsu Miyata・Yutaka Ohno・Shigeru Kishimoto・Hisanori Shinohara・Takashi Mizutani（Nagoya Univ.） |
[more] | |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 13:25 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 ○鈴木耕佑・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-156 SDM2011-173 |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] | ED2011-156 SDM2011-173 pp.83-87 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 |
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化... [more] | ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 pp.185-190 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:05 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-197 SDM2010-232 |
プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により... [more] | ED2010-197 SDM2010-232 pp.31-36 |
| ED | 2010-06-17 16:40 |
石川 | 北陸先端大 | トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響 ○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕佑・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-41 |
[more] | ED2010-41 pp.41-45 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御 ○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕介・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-205 SDM2009-202 |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)の特性を制御する上で，各種界面の特性を理解し，制御することが重要... [more] | ED2009-205 SDM2009-202 pp.53-58 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-186 MW2009-169 |
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] | ED2009-186 MW2009-169 pp.65-70 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:55 |
北海道 | 北海道大学 | AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-231 SDM2008-223 |
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し，その特性を調べた．作製には微小デバイスブロックの配置... [more] | ED2008-231 SDM2008-223 pp.41-46 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ ○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特... [more] | ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 pp.115-120 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 ○合田祐司・林 慶寿・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 |
ALDで成膜したHfO2をゲート酸化膜とするAlGaN/GaN MOSFETを作製し、特性評価を行った。HfO2の成膜温... [more] | ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 pp.121-124 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 15:55 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Characterization of Carbon Nanotube FETs by Electric Force Microscopy ○Takashi Mizutani（Nagoya Univ.） ED2008-49 SDM2008-68 |
[more] | ED2008-49 SDM2008-68 pp.53-58 |
| ED | 2008-06-14 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-34 |
Fluidic Self-Assembly(FSA)は数十ミクロン程度の大きさのデバイスブロックを溶液中で散布し，任意の... [more] | ED2008-34 pp.67-72 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 10:15 |
北海道 | 北海道大学 | 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・安藤浩哉（豊田高専）・赤松和弘・中田弘章（日鉱金属） ED2007-247 SDM2007-258 |
共鳴トンネル素子を用いたシンプルなパルス生成器をInP基板上に試作した． 出力を100GHz帯域のオシロスコープによ... [more] |
ED2007-247 SDM2007-258 pp.51-56 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］Control of electrical properties of carbon nanotube FETs ○Takashi Mizutani（名大） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 14:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一（富山大）・大川洋平・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
共鳴トンネル素子を用いた発振器においてこれまで問題となっていたスプリアス発振やバイアス不安定性を抑制できる新しい構成の発... [more] | ED2006-242 SDM2006-230 pp.13-16 |
| ED, SDM (共催) |
2006-01-27 11:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 大会議室 | 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器 ○前澤宏一・松原 渉・古川幸喜・水谷 孝（名大） |
共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣアナログ–デジタル変換器(ADC) について述べた．ΔΣADC... [more] | ED2005-237 SDM2005-249 pp.33-38 |
| LQE | 2004-12-03 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力２波長レーザの開発 ○東條友昭・山中一彦・小野澤和利・シング ビラハムパル・上田大助（松下電器）・曽我育生・前澤浩一・水谷 孝（名大） |
ＣＤ／ＤＶＤの光ディスク記録に用いるハイブリッド型の高出力２波長レーザを開発した。要求される２つのレーザの発光点間隔精度... [more] | LQE2004-128 pp.55-58 |
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