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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2008-12-05
14:10
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性
大城ゆき岡本 大矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大SDM2008-190
 [more] SDM2008-190
pp.31-35
SDM 2008-06-10
14:35
東京 東京大学(生産研 An棟) High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
小原孝介浦岡行治冬木 隆山下一郎奈良先端大)・八重樫利武茂庭昌弘吉丸正樹半導体理工学研究センターSDM2008-57
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの開発を目指した研究を行っている... [more] SDM2008-57
pp.89-92
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
14:05
沖縄 沖縄県青年会館 Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化
藤井茉美矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・Ji Sim JungJang Yeon Kwonサムスン総合技術院SDM2008-10 OME2008-10
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO(GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] SDM2008-10 OME2008-10
pp.47-50
SDM 2007-12-14
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上
越知誠弘菅原祐太三浦篤志浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・山下一郎奈良先端大/松下電器SDM2007-222
我々はこれまでにNi内包フェリチンを用いて高品質のシリコン薄膜の結晶化に成功している。本研究では結晶化時間の短縮を目的と... [more] SDM2007-222
pp.1-4
SDM 2007-12-14
11:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 極薄トンネル酸化膜を用いたバイオナノドットフローティングゲートMOSデバイスの充放電特性
梅田朋季矢野裕司三浦篤志浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・山下一郎奈良先端大/松下電器
 [more]
SDM 2007-12-14
15:10
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果
岸山友紀高橋 優大鐘章義Athapol Kitiyanan浦岡行治冬木 隆奈良先端大SDM2007-232
Si太陽電池の高効率化に際し、高品質な表面パッシベーション技術の開発とその評価は必要不可欠なものとなっている。本研究では... [more] SDM2007-232
pp.43-46
SDM 2007-12-14
16:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定
岡本 大矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大SDM2007-234
4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング(CP)測定を行った.nチャネルMOSFETに対し... [more] SDM2007-234
pp.51-54
SDM 2007-06-07
16:45
広島 広島大学(学士会館) 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性
矢野裕司武田大輔畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大SDM2007-38
パワーMOSFET用材料として注目されている4H-SiCであるが,MOSFETの反転層チャネル移動度が小さいという問題が... [more] SDM2007-38
pp.37-42
SDM 2006-06-21
17:15
広島 広島大学, 学士会館 フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元
松村貴志三浦篤志・○浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・吉井重雄山下一郎松下電器
 [more] SDM2006-51
pp.55-59
R, ED, SDM
(共催)
2005-11-25
10:10
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの信頼性評価技術
浦岡行治冬木 隆奈良先端大
 [more] R2005-38 ED2005-173 SDM2005-192
pp.1-6
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