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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 ○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2014-137 |
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] | SDM2014-137 pp.9-12 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-21 LQE2014-26 |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] | OPE2014-21 LQE2014-26 pp.39-42 |
| SDM | 2014-01-29 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET ○金 相賢・横山正史・中根了昌（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-144 |
[more] | SDM2013-144 pp.39-42 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits ○Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. Tokyo） |
[more] | |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-26 15:00 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術 ○竹中 充・横山正史・杉山正和・中野義昭・高木信一（東大） EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33 |
[more] | EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33 pp.45-48 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 10:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積 ○高木信一・竹中 充（東大） ED2010-78 SDM2010-79 |
高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造... [more] | ED2010-78 SDM2010-79 pp.119-124 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
| SDM | 2009-06-19 11:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大） SDM2009-30 |
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] | SDM2009-30 pp.21-26 |
| SDM | 2008-06-09 13:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | ［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 ○高木信一（東大） SDM2008-42 |
45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマル... [more] | SDM2008-42 pp.1-6 |
| SDM | 2007-06-08 15:05 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性 ○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大） SDM2007-50 |
[more] | SDM2007-50 pp.101-106 |
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