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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPSY, IPSJ-ARC (連催) DC (併催) [詳細] |
2018-07-31 11:45 |
熊本 | 熊本市国際交流会館 | 敵対型生成ネットワークにおける学習の低ビット化の検討 ○岸 裕真（東大/産総研）・池上 努・大内真一・高野了成（産総研）・野上和可奈・工藤知宏（東大/産総研）  CPSY2018-19 |
敵対型生成ネットワーク(Generative Adversary Network, GAN)についての研究は昨今盛んに行... [more] | CPSY2018-19 pp.91-96 |
| SDM | 2014-01-29 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術 ○水林 亘（産総研）・おの田 博・中島良樹（日新イオン機器）・石川由紀・松川 貴・遠藤和彦・Yongxun Liu・大内真一・塚田順一・山内洋美・右田真司・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2013-138 |
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] | SDM2013-138 pp.13-16 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究 ○坂井秀男（慶大）・大内真一・松川 貴・遠藤和彦・柳 永勲・塚田順一・石川由紀・中川 格・関川敏弘・小池帆平・坂本邦博・昌原明植（産総研）・石黒仁揮（慶大） ED2010-198 SDM2010-233 |
近年、FinFETがMOSFETに代わる優秀なトランジスタとして、各研究機関で研究されている。しかし、FinFETを搭載... [more] | ED2010-198 SDM2010-233 pp.37-42 |
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