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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| SDM | 2010-06-22 11:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価 ○藤岡知宏・板東竜也・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2010-38 |
[more] | SDM2010-38 pp.27-32 |
| SDM | 2010-06-22 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響 ○大田晃生・後藤優太・モハマド ファイルズ カマルザン・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2010-47 |
[more] | SDM2010-47 pp.79-84 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 15:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用 ○岡田竜弥（琉球大）・東 清一郎・牧原克典・広重康夫・宮崎誠一（広島大） ED2009-201 SDM2009-198 |
プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を... [more] | ED2009-201 SDM2009-198 pp.29-33 |
| SDM | 2009-12-04 15:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 ○広重康夫・東 清一郎・宮崎祐介・松本和也・宮崎誠一（広島大） SDM2009-166 |
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] | SDM2009-166 pp.79-82 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor ○Hideki Murakami・Syed Mahboob・Kiyotaka Katayama・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Yumehiro Hata・Akio Kuroda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-87 SDM2009-82 |
We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protei... [more] | ED2009-87 SDM2009-82 pp.161-164 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots ○Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Akira Kawanami・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-92 SDM2009-87 |
Silicon-quantum-dots (Si-QDs) with an areal density as high ... [more] | ED2009-92 SDM2009-87 pp.181-184 |
| SDM | 2009-06-19 14:30 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 ○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-36 |
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法によ... [more] | SDM2009-36 pp.57-60 |
| SDM | 2009-06-19 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-42 |
800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] | SDM2009-42 pp.87-92 |
| SDM | 2009-06-19 17:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 ○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-44 |
TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more] | SDM2009-44 pp.99-103 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 09:00 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | リモート水素プラズマ支援によるPdナノドット形成とフローティングゲートMOSメモリ応用 ○島ノ江和広・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（広島大） ED2008-54 SDM2008-73 |
We have studied the formation of Pd-nanodots on SiO2 from ul... [more] | ED2008-54 SDM2008-73 pp.77-80 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:55 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Electrical Detection of Si-Tagged Proteins on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surfaces ○S. Mahboob・Katsunori Makihara・Hirotaka Kaku・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki・Akio Kuroda（Hiroshima Univ.） ED2008-69 SDM2008-88 |
We successfully detected silicon-binding proteins such as Si... [more] | ED2008-69 SDM2008-88 pp.155-158 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 13:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4 ○Hirotaka Kaku・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2008-90 SDM2008-109 |
[more] | ED2008-90 SDM2008-109 pp.271-274 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| SDM | 2007-12-14 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測 ○古川弘和・東 清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一（広島大） SDM2007-228 |
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプ... [more] | SDM2007-228 pp.27-29 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:50 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM ○Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） |
n-Si(100)基板上に1000ºC、2%O2雰囲気で厚さ~4nmのSiO2膜を形成後、リモートAr/H2プ... [more] | |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 14:15 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties ○Kazuki Okuyama・Katsunori Makihara・Akio Ohta・Hideki Murakami・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2007-06-07 14:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 ○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン） SDM2007-34 |
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] | SDM2007-34 pp.17-22 |
| SDM | 2007-06-07 16:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 ○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大） SDM2007-37 |
[more] | SDM2007-37 pp.33-36 |
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