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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-10-27
10:00
宮城 東北大学未来研 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響
齋藤雅也諏訪智之寺本章伸黒田理人幸田安真杉田久哉石井秀和志波良信白井泰雪須川成利東北大)・林 真里恵土本淳一キヤノンアネルバSDM2016-73
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタへの応用が期待され... [more] SDM2016-73
pp.27-30
SDM 2016-10-27
10:50
宮城 東北大学未来研 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究
間脇武蔵寺本章伸黒田理人市野真也後藤哲也諏訪智之須川成利東北大SDM2016-75
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] SDM2016-75
pp.35-38
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製
小尻尚志諏訪智之橋本圭市寺本章伸黒田理人須川成利東北大EID2015-9 SDM2015-92
新規に開発したSiNxエッチングガス(SSY525:日本ゼオン製プロトタイプ)のエッチング基礎特性評価を行った.その結果... [more] EID2015-9 SDM2015-92
pp.1-4
SDM 2015-10-29
16:00
宮城 東北大学未来研 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性
後藤哲也黒田理人諏訪智之寺本章伸小原俊樹木本大幾須川成利東北大)・鎌田 浩熊谷勇喜渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2015-74
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] SDM2015-74
pp.17-22
SDM 2015-10-30
10:20
宮城 東北大学未来研 トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討
古川貴一寺本章伸黒田理人諏訪智之橋本圭市小尻尚志須川成利東北大SDM2015-77
 [more] SDM2015-77
pp.35-40
SDM 2015-10-30
15:30
宮城 東北大学未来研 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討
杉田久哉幸田安真諏訪智之黒田理人後藤哲也石井秀和東北大)・山下 哲フジキン)・寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2015-83
 [more] SDM2015-83
pp.63-68
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
SDM 2014-10-17
13:50
宮城 東北大学未来研 MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究
小原俊樹寺本章伸黒田理人米澤彰浩後藤哲也諏訪智之須川成利大見忠弘東北大SDM2014-93
アレイテスト回路を使用することで多数のサンプルにおいて,2準位以上のRandom Telegraph Noise(RTN... [more] SDM2014-93
pp.55-59
SDM 2013-10-17
16:10
宮城 東北大学未来研 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計
黒田理人中尾幸久寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2013-91
 [more] SDM2013-91
pp.15-20
SDM 2013-10-18
09:30
宮城 東北大学未来研 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード
幸田安真黒田理人中尾幸久須川成利東北大SDM2013-92
 [more] SDM2013-92
pp.21-25
SDM 2013-10-18
14:00
宮城 東北大学未来研 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析
米澤彰浩寺本章伸小原俊樹黒田理人須川成利大見忠弘東北大SDM2013-98
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] SDM2013-98
pp.51-56
SDM 2012-10-26
09:55
宮城 東北大学未来研 PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス
中尾幸久寺本章伸黒田理人諏訪智之田中宏明須川成利大見忠弘東北大SDM2012-93
 [more] SDM2012-93
pp.21-26
SDM 2012-10-26
10:20
宮城 東北大学未来研 [特別講演]シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道
大見忠弘中尾幸久黒田理人諏訪智之田中宏明須川成利東北大SDM2012-94
 [more] SDM2012-94
pp.27-32
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
14:45
沖縄 沖縄県青年会館 100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits
Hidetoshi UtsumiRyohei KasaharaYukihisa NakaoRihito KurodaAkinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
 [more]
SDM 2011-10-20
14:20
宮城 東北大学未来研 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減
鈴木裕彌黒田理人寺本章伸米澤彰浩松岡弘章中澤泰希阿部健一須川成利大見忠弘東北大SDM2011-98
ブロードチャネル構造によって,劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の低減効果を得た.形成されるチャネルの位置をト... [more] SDM2011-98
pp.5-9
SDM 2011-10-20
14:45
宮城 東北大学未来研 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価
稲塚卓也熊谷勇喜黒田理人寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2011-99
 [more] SDM2011-99
pp.11-16
SDM 2011-10-20
15:45
宮城 東北大学未来研 ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係
黒田理人寺本章伸李 翔諏訪智之須川成利大見忠弘東北大SDM2011-101
 [more] SDM2011-101
pp.21-26
SDM 2010-10-21
17:10
宮城 東北大学 ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成
田中宏明黒田理人中尾幸久寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2010-157
 [more] SDM2010-157
pp.25-30
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:15
東京 東工大 大岡山キャンパス High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface
Xiang LiRihito KurodaTomoyuki SuwaAkinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.ED2010-93 SDM2010-94
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] ED2010-93 SDM2010-94
pp.183-188
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
15:30
東京 東工大 大岡山キャンパス High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance
Yukihisa NakaoRihito KurodaHiroaki TanakaAkinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.ED2010-119 SDM2010-120
 [more] ED2010-119 SDM2010-120
pp.303-308
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