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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:05 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 ○金田昭男・上田雅也・船戸 充・川上養一（京大）  ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 |
ELO-GaN テンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの... [more] | ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 pp.35-38 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:30 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 |
InGaN 発光ダイオードにおける, 注入キャリア数の増加に対して, 光出力が線形に増加しない原因を解明するために, 本... [more] | ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 pp.39-42 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード ○船戸 充・林 敬太・上田雅也・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学） ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108 |
GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN/GaN発光ダイオード(LED)を作製した．各ファセット面における量子... [more] | ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108 pp.57-60 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:30 |
福井 | 福井大学 | 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ○金田昭男（京大/JST）・金井聡庸（京大）・船戸 充・川上養一（京大/JST）・菊池昭彦・岸野克己（上智大/JST） ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させるこ... [more] | ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 pp.7-12 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 09:30 |
京都 | 京都大学 | 470及び400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価 ○小島一信・船戸 充・川上養一（京大）・ウルリヒ T シュワルツ・ハラルド ブラウン（レーゲンスブルグ大）・長濱慎一・向井孝志（日亜化学） |
[more] | ED2006-161 CPM2006-98 LQE2006-65 pp.51-55 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 09:55 |
京都 | 京都大学 | 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価 ○上田雅也・小島一信・船戸 充・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学） |
半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し，その光学特性... [more] | ED2006-162 CPM2006-99 LQE2006-66 pp.57-61 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 15:30 |
滋賀 | 立命館大学 | InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係 ○金田昭男・船戸 充（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大） |
[more] | ED2005-154 CPM2005-141 LQE2005-81 pp.73-76 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 15:50 |
滋賀 | 立命館大学 | InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光 ○船戸 充・小谷晃央・近藤 剛・西塚幸司（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大） |
[more] | ED2005-155 CPM2005-142 LQE2005-82 pp.77-80 |
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