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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 14:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善 ○鈴木都文・佐久間 究・吉村瑶子・市原玲華・松尾和展・萩島大輔・藤原 実・齋藤真澄（キオクシア）  SDM2023-78 |
[more] | SDM2023-78 pp.17-19 |
| SDM | 2023-06-26 14:50 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ～ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ～ ○手面 学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア） SDM2023-34 |
加熱その場高分解能TEMを用いて，多結晶Siチャネルを模した薄膜Si内で微結晶Siと結晶化していないアモルファス領域の局... [more] | SDM2023-34 pp.28-30 |
| SDM | 2020-01-28 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Hf1-xZrxO2強誘電体トンネル接合を用いた強化学習 ～ ばらつき制御による性能向上 ～ ○太田健介・山口まりな（キオクシア）・ラドゥ ベルダン・丸亀孝生・西 義史（東芝）・松尾和展・高橋恒太・神谷優太・宮野信治・出口 淳・藤井章輔・齋藤真澄（キオクシア） SDM2019-84 |
Hf1-xZrxO2を用いた強誘電体トンネル接合において、メモリ内演算による強化学習性能を最大化するための構造及び組成に... [more] | SDM2019-84 p.9 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 13:25 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［招待講演］テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証 ○市原玲華・藤井章輔・今野拓也・山口まりな・関 春海・田中洋毅・趙 丹丹・吉村瑶子・齋藤真澄・小山正人（東芝メモリ） SDM2019-50 ICD2019-15 |
テラビットクラスの大容量応用に有望なAgイオンメモリセルを開発し、クロスポイントアレイ動作を実証した。母材SiO2中に大... [more] | SDM2019-50 ICD2019-15 pp.85-88 |
| ICD | 2017-04-21 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 ○山口まりな・藤井章輔・上牟田雄一・井野恒洋・高石理一郎・中崎 靖・齋藤真澄（東芝） ICD2017-16 |
強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの，CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや，データ読み出... [more] | ICD2017-16 pp.85-88 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 10:40 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 ○上牟田雄一・藤井章輔・井野恒洋・高石理一郎・中崎 靖・齋藤真澄（東芝） SDM2016-62 ICD2016-30 |
[more] | SDM2016-62 ICD2016-30 pp.95-98 |
| SDM | 2016-06-29 10:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係 ○上牟田雄一・藤井章輔・高石理一郎・井野恒洋・中崎 靖・齋藤真澄・小山正人（東芝） SDM2016-32 |
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] | SDM2016-32 pp.1-4 |
| SDM | 2016-01-28 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性 ○小田 穣・佐久間 究・上牟田雄一・齋藤真澄（東芝） SDM2015-121 |
固相成長(SPC)法におけるpoly-Si膜形成プロセスを最適化したAdvanced SPCプロセスを適用し、高性能ポリ... [more] | SDM2015-121 pp.5-8 |
| SDM | 2013-11-14 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析 ○齋藤真澄・太田健介・田中千加・沼田敏典（東芝） SDM2013-104 |
本論文ではシリコントライゲートナノワイヤトランジスタの1/fノイズのチャネルサイズ依存性について系統的に調べる。様々なナ... [more] | SDM2013-104 pp.27-30 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:50 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 ○太田健介・齋藤真澄・田中千加（東芝）・内田 健（東工大）・沼田敏典（東芝） SDM2012-70 ICD2012-38 |
[more] | SDM2012-70 ICD2012-38 pp.37-42 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-01 11:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Stress and Surface Orientation Engineering in Scaled CMOSFETs Considering High-Field Carrier Transport ○Masumi Saitoh・Yukio Nakabayashi（Toshiba）・Ken Uchida（Tokyo Inst. of Tech.）・Toshinori Numata（Toshiba） ED2010-79 SDM2010-80 |
We present the systematic study on the performance of short-... [more] | ED2010-79 SDM2010-80 pp.125-129 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ～ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ～ ○小林茂樹・齋藤真澄・内田 建（東芝） SDM2008-129 ICD2008-39 |
Random Telegraph Noise (RTN)は、現行、又はより微細化された将来のLSIにおいて、MOSFET... [more] | SDM2008-129 ICD2008-39 pp.7-10 |
| SDM | 2008-06-09 16:50 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性 ○齋藤真澄・小林茂樹・内田 建（東芝） SDM2008-46 |
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な... [more] | SDM2008-46 pp.23-27 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 11:10 |
北海道 | 函館国際ホテル | 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証 ○筒井 元・齋藤真澄・平本俊郎（東大） |
短チャネル効果抑制の観点から，極薄SOI MOSFETは将来有望なデバイス構造として期待されている．極薄SOI MOSF... [more] | SDM2005-133 ICD2005-72 pp.31-36 |
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