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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2023-08-24
15:50
宮城 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用
小林康之弘前大)・廣木正伸熊倉一英NTTR2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である.我々... [more] R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
pp.42-44
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
15:40
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製
前田就彦廣木正伸佐々木 智原田裕一NTTED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106
リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)において、高電流化およびデバイス作... [more] ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106
pp.49-54
ED, MW
(共催)
2010-01-14
14:40
東京 機械振興会館 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs
廣木正伸前田就彦重川直輝NTTED2009-187 MW2009-170
 [more] ED2009-187 MW2009-170
pp.71-76
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
09:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/GaNへテロ構造FET
廣木正伸前田就彦小林 隆重川直輝NTTED2009-71 SDM2009-66
We report our recent development of an InAlN barrier layer f... [more] ED2009-71 SDM2009-66
pp.93-98
ED 2009-06-11
16:25
東京 東京工業大学 MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化
前田就彦廣木正伸榎木孝知NTT)・小林 隆NTT-ATED2009-42
MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の... [more] ED2009-42
pp.31-36
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
14:55
愛知 名古屋工業大学 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造
廣木正伸前田就彦小林 隆NTTED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124
表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造を作製した.InAlNのIn組成0.13... [more] ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124
pp.141-144
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
09:50
愛知 名古屋工業大学 AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討
廣木正伸西村一巳NTT)・渡邉則之NTT-AT)・小田康裕小林 隆NTTED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として,Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた. 1x10-5&... [more] ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31
pp.51-56
MW, ED
(共催)
2007-01-19
13:50
東京 機械振興会館 Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ
渡邉則之横山春喜廣木正伸小田康裕NTT)・八木拓真NTT-AT)・小林 隆NTT
MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rm... [more] ED2006-233 MW2006-186
pp.183-187
ED, MW
(共催)
2006-01-19
14:45
東京 機械振興会館 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー
塩島謙次牧村隆司小杉敏彦末光哲也重川直輝廣木正伸横山春喜NTT
 [more] ED2005-206 MW2005-160
pp.41-44
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
13:50
滋賀 立命館大学 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関
塩島謙次牧村隆司末光哲也重川直輝廣木正伸横山春喜NTT
 [more] ED2005-127 CPM2005-114 LQE2005-54
pp.43-46
MW, ED
(共催)
2005-01-18
09:45
東京 機械振興会館 選択再成長オーミックス構造を有するAl2O3/Si3N4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET
前田就彦王 成新牧村隆司廣木正伸牧本俊樹小林 隆榎木孝知NTT
 [more] ED2004-213 MW2004-220
pp.7-12
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