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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:25 |
北海道 | 室蘭工業大 | 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・坂田修一・小山英寿・加茂宣卓・安藤晃洋・中原和彦・福本 宏（三菱電機）  MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 |
[more] | MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 pp.7-10 |
| MW | 2014-03-05 14:20 |
愛媛 | 愛媛大学 | 入力および出力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 ○内田浩光・半谷政毅・山中宏治・福本 宏・菊池信宏・小山英寿・加茂宣卓（三菱電機） MW2013-219 |
[more] | MW2013-219 pp.129-132 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 ○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治（三菱電機） ED2012-121 MW2012-151 |
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] | ED2012-121 MW2012-151 pp.49-52 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| MW | 2012-11-21 14:45 |
沖縄 | 石垣島 | ［特別講演］2012年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告 ○清水隆志（宇都宮大）・大平昌敬（埼玉大）・岡崎浩司（NTTドコモ）・陳 春平（神奈川大）・楢橋祥一（NTTドコモ）・ポカレル ラメシュ（九大）・山中宏治（三菱電機） MW2012-116 |
カナダ ケベック州 モントリオール市において開催された2012年IEEE MTT-S 国際マイクロ波シンポジウム（IMS... [more] | MW2012-116 pp.13-22 |
| MWP, OPE, MW, EMT, EST, IEE-EMT (共催) [詳細] |
2012-07-26 09:30 |
北海道 | 北海道大学 | S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 ～ 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 ～ ○小坂尚希・内田浩光・能登一二三・山中宏治・中山正敏・平野嘉仁・井上 晃・野上洋一・金谷 康（三菱電機） MW2012-28 OPE2012-21 EST2012-10 MWP2012-9 |
[more] | MW2012-28 OPE2012-21 EST2012-10 MWP2012-9 pp.7-10 |
| MW | 2012-06-29 14:00 |
岐阜 | 岐阜大学 | C帯220W高効率GaN増幅器 ○前原宏昭・山中宏治・小坂尚輝・西原 淳・川嶋慶一・中山正敏（三菱電機） MW2012-22 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2012-22 pp.19-24 |
| EST | 2012-06-01 15:45 |
東京 | 青山学院大学 青山キャンパス 総研ビル | 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討 ○内田浩光・山中宏治・中山正敏（三菱電機） EST2012-6 |
[more] | EST2012-6 pp.33-38 |
| MW | 2012-03-01 13:15 |
佐賀 | 佐賀大学 | 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 ○内田浩光・大塚浩志・山中宏治・小山英寿・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-174 |
[more] | MW2011-174 pp.35-40 |
| MW | 2012-03-01 13:45 |
佐賀 | 佐賀大学 | 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-175 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2011-175 pp.41-46 |
| MW | 2012-03-01 16:15 |
佐賀 | 佐賀大学 | ［特別講演］2011年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告 ○堀井康史（関西大）・廣田明道（三菱電機）・陳 春平（神奈川大）・河合邦浩（NTTドコモ）・山中宏治（三菱電機）・ポカレル ラメシュ（九大） MW2011-177 |
2011年10月9日から10月14日まで，イギリス・マンチェスターにて開催されたヨーロッパマイクロ波会議（Europea... [more] | MW2011-177 pp.53-60 |
| MW | 2011-10-20 09:00 |
東京 | 電気通信大学 | 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器 ○前原宏昭・内田浩光・内海博三・西原 淳・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機） MW2011-85 |
本論文では小型PKG を用いたX 帯120W 内部整合GaN 高出力増幅器(HPA)の開発を報告する．レーダー用途のGa... [more] | MW2011-85 pp.1-5 |
| OPE, MW, MWP, EMT, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-07-22 11:25 |
北海道 | 北見工業大学 | 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・小山英寿・桐越 祐・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-59 OPE2011-46 EST2011-45 MWP2011-27 |
[more] | MW2011-59 OPE2011-46 EST2011-45 MWP2011-27 pp.119-123 |
| EMCJ, MW, EST (共催) |
2011-05-26 14:35 |
東京 | 情報通信研究機構 | 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 pp.45-50 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） ED2010-179 MW2010-139 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | ED2010-179 MW2010-139 pp.23-28 |
| SANE | 2010-06-24 10:20 |
茨城 | JAXA筑波宇宙センター | HTVの運用成果 ○山中浩二・麻生 大（JAXA） SANE2010-16 |
[more] | SANE2010-16 pp.13-16 |
| SANE | 2010-06-24 10:40 |
茨城 | JAXA筑波宇宙センター | HTVのランデブの開発・運用 ○植松洋彦・山中浩二（JAXA） SANE2010-17 |
[more] | SANE2010-17 pp.17-22 |
| MW | 2010-05-13 16:00 |
兵庫 | 兵庫県立大学 | 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機） MW2010-17 |
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] | MW2010-17 pp.17-22 |
| EMCJ, MW, IEE-MAG (共催) |
2009-10-23 14:00 |
岩手 | 岩手大学・八幡平ロイヤルホテル | 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ ～ 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例 ～ ○内田浩光・山中宏治・山内和久・井上 晃・平野嘉仁・宮崎守泰（三菱電機） EMCJ2009-70 MW2009-119 |
効率改善を目的として高調波処理が施された高出力増幅器においてその高調波輻射を抑圧するためにフィルタを導入する場合，同フィ... [more] | EMCJ2009-70 MW2009-119 pp.153-158 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2009-07-31 09:50 |
北海道 | 旭川市民文化会館 | C-Ku帯GaN HEMT3倍帯域高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機） MW2009-68 OPE2009-68 |
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] | MW2009-68 OPE2009-68 pp.205-209 |
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