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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 15:30 |
富山 | 富山県民会館 | 動的基板制御による非対称SRAM ○藪内 誠・塚本康正・藤原英弘・前川考志・五十嵐元繁・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2011-93 ICD2011-61 |
非対称MOS構造をアクセスTrに適用した横型SRAMを開発した。これは追加マスク無しで、Static Noise Mar... [more] | SDM2011-93 ICD2011-61 pp.115-120 |
| ICD | 2010-04-22 09:50 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ～ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ～ ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・平野有一・岩松俊明・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-2 |
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm... [more] | ICD2010-2 pp.7-12 |
| ICD | 2010-04-22 10:50 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・中瀬泰伸・篠原尋史（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-3 |
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。 読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more] |
ICD2010-3 pp.13-16 |
| ICD | 2009-04-14 10:40 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM ○吉本秀輔・井口友輔・奥村俊介・藤原英弘・野口紘希（神戸大）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2009-6 |
本論文では，低電圧動作，小面積10T SRAMセルを提案する．提案10Tセルは，従来10Tセルと比較して回路構成を単純化... [more] | ICD2009-6 pp.27-32 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］[招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・篠原尋史（ルネサステクノロジ） SDM2008-178 |
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] | SDM2008-178 pp.55-60 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡 進（ルネサステクノロジ）・山上由展・石倉 聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範（松下電器）・篠原尋文（ルネサステクノロジ） SDM2008-131 ICD2008-41 |
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] | SDM2008-131 ICD2008-41 pp.17-22 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-23 16:00 |
北海道 | 北見工業大学 | ［パネル討論］Dynamic Voltage & Frequency Scaling；ディープサブ100-nmを救えるか! ○榎本忠儀（中大）・入江直彦（日立）・岡野 広（富士通研）・崎山史朗（松下電器）・中井將勝（ソニー）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・野村昌弘（NEC）・水野弘之（日立） SDM2007-154 ICD2007-82 |
[more] | SDM2007-154 ICD2007-82 pp.75-78 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 15:40 |
北海道 | 北見工業大学 | DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計 ○森田泰弘・藤原英弘・野口紘希・井口友輔（神戸大）・新居浩二（神戸大/ルネサステクノロジ）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2007-167 ICD2007-95 |
45nm世代以降のLSI製造プロセスノードにおいて，8トランジスタ構成のSRAMセル（8Tセル）が従来の6Tセルよりも小... [more] | SDM2007-167 ICD2007-95 pp.139-144 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2007-07-26 17:30 |
兵庫 | 神戸大学瀧川記念学術交流会館 | ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ 2-port SRAMの設計 ○奥村俊介・野口紘希・井口友輔・藤原英弘・森田泰弘（神戸大）・新居浩二（神戸大/ルネサステクノロジ）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2007-53 |
動画像処理に適した低消費電力・非プリチャージ 2-port SRAMを提案する．提案するメモリセルは10トランジスタ（1... [more] | ICD2007-53 pp.95-100 |
| ICD | 2007-04-12 13:50 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM ○藤原英弘・新居浩二・野口紘希・宮越純一・村地勇一郎・森田泰弘・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2007-7 |
[more] | ICD2007-7 pp.35-40 |
| ICD | 2007-04-13 09:40 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ［招待講演］A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die ○Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Kazushi Kono（Renesas Technology）・Yuji Oda（Shikino High-Tech）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Keiichi Usui（Daioh Electric）・Toshiaki Yonezu・Takeshi Iwamoto・Koji Nii・Yasumasa Tsukamoto・Masashi Arakawa・Takahiro Uchida・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology） ICD2007-11 |
[more] | ICD2007-11 pp.59-64 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 12:05 |
北海道 | 北海道大学 | 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 ○今岡 進（ルネサスデザイン）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・増田康浩（ルネサスデザイン）・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・五十嵐元繁・冨田和朗・坪井信生・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] | SDM2006-148 ICD2006-102 pp.133-136 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 14:35 |
北海道 | 北海道大学 | 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路 ○薮内 誠・大林茂樹・新居浩二・塚本康正（ルネサステクノロジ）・今岡 進（ルネサスデザイン）・五十嵐元繁・竹内雅彦・川島 光・牧野博之・山口泰男・塚本和宏・犬石昌秀・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
[more] | SDM2006-151 ICD2006-105 pp.149-153 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 15:00 |
北海道 | 北海道大学 | しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発 ○野口紘希（神戸大）・森田泰弘（金沢大）・藤原英弘・川上健太郎・宮越純一（神戸大）・三上真司（金沢大）・新居浩二・川口 博・吉本雅彦（神戸大） |
[more] | SDM2006-152 ICD2006-106 pp.155-160 |
| ICD | 2006-04-14 13:50 |
大分 | 大分大学 | 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について ○塚本康正・新居浩二（ルネサステクノロジ）・今岡 進（ルネサスデザイン）・小田祐士（シキノハイテック）・大林茂樹・薮内 誠・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
[more] | ICD2006-18 pp.97-102 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 15:15 |
北海道 | 函館国際ホテル | [パネルディスカッション] ゲートリークの救世主、それはHigh-k！ 榎本忠儀（中大）・○高柳万里子（東芝）・佐藤成生（富士通）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・西山 彰（東芝）・長谷 卓（NEC）・濱田基嗣（東芝）・由上二郎（ルネサステクノロジ） |
(事前公開アブストラクト) Hi-K技術のパネル討論会 [more] | SDM2005-155 ICD2005-94 pp.73-78 |
| ICD | 2005-04-14 09:30 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM ○山岡雅直（日立）・前田徳章（ルネサステクノロジ）・篠崎義弘（日立超LSIシステムズ）・島崎靖久・新居浩二・島田 茂・柳沢一正（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） |
低電力SoCの消費電力はモバイル機器の電池寿命に大きく影響する。現在のSoCは多くのSRAMモジュールを混載しており、S... [more] | ICD2005-2 pp.7-12 |
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